沼田 敏典 | 半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
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概要
関連著者
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
著作論文
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
- ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET