水野 智久 | 半導体MIRAIプロジェクト

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概要

• 同名の論文著者
• 半導体MIRAIプロジェクトの論文著者

関連著者

• 水野 智久

  半導体MIRAIプロジェクト

• 高木 信一

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 手塚 勉

  半導体MIRAI-ASET

• 杉山 直治

  半導体MIRAI-ASET

• 杉山 直治

  MIRAI-ASET

• 水野 智久

  MIRAI-AIST

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 臼田 宏治

  半導体MIRAI-ASET

• 守山 佳彦

  半導体MIRAI-ASET

• 沼田 敏典

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 沼田 敏典

  半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)

• 古賀 淳二

  半導体MIRAI-ASET

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 高木 信一

  東大 大学院工学系研究科

• 古賀 淳二

  東芝

• 中払 周

  半導体MIRAI-ASET

• 高木 信一

  東京大学

• 平下 紀夫

  半導体MIRAI-ASET

• 前田 辰郎

  半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター

• 沼田 典則

  半導体MIRAIプロジェクト

• 田邊 顕人

  半導体MIRAI-ASET

• 前田 辰郎

  産業技術総合研究所

• 水野 智久

  神奈川大学理学部

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著作論文

• シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
• SiGe on Insulator構造形成技術(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
• ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
• ひずみSOI基板を用いた高速CMOS技術
• 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET

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