ひずみSi p-MOSFETにおける正孔移動度の増大

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 東芝技術企画室の論文

著者

• 杉山 直治

  半導体MIRAI-ASET

• 杉山 直治

  MIRAI-ASET

• 黒部 篤

  東芝 研開セ

関連論文

• SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
• Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響
• GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
• 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
• 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)
• 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
• 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
• シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
• 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
• ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• SiGe on Insulator構造形成技術(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
• ひずみSOI-CMOS素子 : Si格子定数の変調技術を用いた高速SOI素子技術
• ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 高性能ひずみSOI-CMOS素子技術 : キャリア移動度劣化機構と素子設計
• 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
• 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
• ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
• ひずみの導入により高移動度化した新構造SOI-MOSFET
• 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
• ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
• ひずみSi p-MOSFETにおける正孔移動度の増大
• シリコン系ナノクリスタル形成技術 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク