低ドーズSIMOXウェーハの埋込酸化膜におけるITOXの効果

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概要

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• 近年、高温アニール後の高温酸化(ITOX)により、埋込酸化膜の品質が改善されることが明らかになった。高温酸化中にシリコンパイプが消減するという結果から、最適なドーズ範囲(ODR)3.5-4.2×10^<17>cm^<-2>より低い酸素注入量でも、ITOX処理を行なうことによって、完全な埋込酸化膜が形成できることが期待される。そこで、ドーズ3.5×10^<17>cm^<-2>以下で形成した埋込酸化膜におけるITOXの効果を検討した。その結果、ITOX処理を行なうことによつて、ODRの下限は少なくとも3.5×10^<17>cm^<-2>から3.0×10^<17>cm^<-2>にシフトできるということが明らかになった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-03-13

著者

• 宮村 佳児

  コマツ電子金属

• JABLONSKI Jaroslaw

  コマツ電子金属株式会社研究開発センター物性研究室

• Jablonski Jaroslaw

  Komatsu Electronic Metals Co. Ltd. Hiratsuka Jpn

• 斎藤 美奈

  コマツ電子金属株式会社 研究開発センター

• 片山 達彦

  コマツ電子金属株式会社 研究開発センター

• Jablonski Jaroslaw

  コマツ電子金属株式会社 研究開発センター

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