1-4 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向(1.CMOS技術の最前線,<特集>世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
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概要
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Si CMOSの性能飽和をブレークスルーし,将来のロジック用LSIの更なる高性能化・低消費電力化を実現する技術として近年注目されている,高移動度チャネルトランジスタ技術,特にIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするMOS-FET技術について紹介する.III-VチャネルのSi基板への貼合せ技術,メタルソース・ドレーン形成技術,MOS界面制御技術などに関する最近の研究成果を紹介しながら,本テクノロジーの現状と課題について述べる.
- 2012-11-01
著者
-
竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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