渡辺 浩志 | 株式会社東芝LSI基板技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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渡辺 浩志
株式会社東芝LSI基板技術ラボラトリー
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
東京大学大学院工学系研究科
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高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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高木 信一
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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渡辺 浩志
(株)東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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川端 研二
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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市川 尚志
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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川端 研二
株式会社東芝先端メモリ開発センター
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川端 研二
株式会社東芝 先端メモリ開発センター
著作論文
- 構造緩和したSiO_2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響
- ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響