川端 研二 | 株式会社東芝先端メモリ開発センター
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概要
関連著者
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川端 研二
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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市川 尚志
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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川端 研二
株式会社東芝先端メモリ開発センター
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一之瀬 大吾
株式会社東芝先端メモリ開発センター
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玉置 直樹
株式会社東芝デバイスプロセス開発センター
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川端 研二
株式会社東芝 先端メモリ開発センター
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渡辺 浩志
株式会社東芝LSI基板技術ラボラトリー
著作論文
- 構造緩和したSiO_2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 形状シミュレーションによるSiO_2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 形状シミュレーションによるSiO_及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング