極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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極薄ゲート絶縁膜の負バイアス温度不安定性(NBTI)は、微細化の進むCMOSデバイスのPチャネルMOSFETにおいてもっとも深刻な信頼性課題の一つとされている。このNBTIのメカニズムとして、ゲート絶縁膜界面において水素結合と反転層ホールの反応と拡散で説明されている。これは、界面準位畳が増加することが根拠となっている。また、窒素を導入したオキシナイトライド膜で劣化が顕著になることも知られている。しかし、そのメカニズムに関してはまだ完全に明らかにされてはいないのが現状である。本研究では極薄ゲート酸化膜のNBTIに対する窒素および水素の影響について再検討し、NBTIの発生機構について考察を行った。
- 2006-06-14
著者
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佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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三谷 祐一郎
東芝
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三谷 祐一郎
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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