ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響
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概要
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- 2005-06-03
著者
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三谷 祐一郎
東芝
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三谷 祐一郎
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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松澤 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
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三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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松澤 一也
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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