InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
スポンサーリンク
概要
著者
-
田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
関連論文
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO_2/Ge nMOSFET
- 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ
- SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
- Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響
- GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
- 1.Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 招待講演 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn[x]Ga[l-x]As MOSFETの移動度向上とその物理的理解 (シリコン材料・デバイス)
- 大規模集積回路と半導体材料技術の現状と将来
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)
- InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性