安田 哲二 | 産業総合研究所
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概要
関連著者
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金 相賢
東京大学電気系工学専攻
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中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
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横山 正史
東京大学電気系工学専攻
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田岡 紀之
東京大学電気系工学専攻
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安田 哲二
産業総合研究所
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
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高木 信一
東京大学電気系工学専攻
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安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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福原 昇
住友化学
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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秦 雅彦
住友化学
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山田 永
住友化学
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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秦 雅彦
住友化学(株)筑波研究所
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高木 信一
東京大学
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宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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飯田 亮
東京大学電気系工学専攻
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李 成薫
東京大学電気系工学専攻
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卜部 友二
産業総合研究所
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宮田 典幸
産業総合研究所
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福原 昇
東京大学電気系工学専攻
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山田 永
東京大学電気系工学専攻
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秦雅 彦
東京大学電気系工学専攻
著作論文
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解