宮田 典幸 | (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

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概要

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• 同名の論文著者
• (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センターの論文著者

関連著者

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 宮田 典幸

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 山田 永

  住友化学(株)筑波研究所

• 秦 雅彦

  住友化学(株)筑波研究所

• 安田 哲二

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 田岡 紀之

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)

• 竹中 充

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻

• 高木 信一

  東京大学

• 大竹 晃浩

  (独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター

• 宮田 典幸

  産業技術総合研究所

• 福原 昇

  住友化学

• 横山 正史

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科

• 金 相賢

  東京大学電気系工学専攻

• 中根 了昌

  東京大学電気系工学専攻

• 横山 正史

  東京大学電気系工学専攻

• 田岡 紀之

  東京大学電気系工学専攻

• 飯田 亮

  東京大学電気系工学専攻

• 李 成薫

  東京大学電気系工学専攻

• 卜部 友二

  産業総合研究所

• 宮田 典幸

  産業総合研究所

• 安田 哲二

  産業総合研究所

• 竹中 充

  東京大学電気系工学専攻

• 高木 信一

  東京大学電気系工学専攻

• 秦 雅彦

  住友化学

• 山田 永

  住友化学

• 宮田 典幸

  (独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

• 大竹 晃浩

  (独)物質・材料研究機構 量子ドット研究センター

• 安田 哲二

  (独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

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著作論文

• III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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