大竹 晃浩 | (独)物質・材料研究機構 量子ドット研究センター

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概要

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• 同名の論文著者
• (独)物質・材料研究機構 量子ドット研究センターの論文著者

関連著者

• 安田 哲二

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 大竹 晃浩

  (独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター

• 宮田 典幸

  (独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

• 大竹 晃浩

  (独)物質・材料研究機構 量子ドット研究センター

• 安田 哲二

  (独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 宮田 典幸

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 宮田 典幸

  産業技術総合研究所

著作論文

• III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術

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