高木 信一 | 東京大学工学系研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
高木 信一
東京大学工学系研究科
-
竹中 充
東京大学工学系研究科
-
高木 信一
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
横山 正史
東京大学工学系研究科
-
佐藤 岳志
日立ハイテクノロジーズ
-
竹中 充
東京大学
-
竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
-
高木 信一
東京大学
-
横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
-
松本 弘昭
日立ハイテクノロジーズ
-
趙 毅
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
小山 晋
日立ハイテクノロジーズ
-
竹中 充
東京大学電気系工学専攻
-
秦 雅彦
住友化学
-
一宮 佑希
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
市川 磨
住友化学株式会社
-
一宮 佑希
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
秦 雅彦
住友化学株式会社
-
横山 正史
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
市川 磨
住友化学
-
張 志宇
東京大学工学系研究科
-
金 相賢
東京大学工学系研究科
-
長田 剛規
住友化学
著作論文
- 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価
- C-3-52 III-V CMOSフォトニクスを用いたInGaAsP細線導波路光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス)
- InGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与えるメタルゲート電極の影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)