不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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スピン注入書き込み可能な新しいタイプのスピンMOSFET(Spin-transfer-Torque Switching MOSFET, STS-MOSFET)を開発し,不揮発かつ再構成可能な集積回路へ有用性を確認した.Si基板上に作製したSTS-MOSFETの電気特性を評価した結果,明瞭な磁気電流特性(読み出し特性)とスピン注入磁化反転による10^5回以上の良好な繰り返し抵抗変化(書き込み特性)を観測した.さらに,読み出し・書き込み特性を最適化する電圧端子の接続配置を明らかにした.また,大規模回路シミュレーションにてスピンMOSFETの様々なFPGA回路への適合性を解析したところ,従来CMOS回路よりも特に回路遅延特性で顕著な向上が得られることが判明した.これらの結果はスピンMOSFET及びその書換え動作可能構造であるSTS-MOSFETが,将来の不揮発かつ再構成可能な集積回路にとって有望な素子であることを示している.
- 2010-08-19
著者
-
斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
-
斉藤 好昭
東芝
-
井口 智明
(株)東芝 研究開発センター
-
杉山 英行
(株)東芝 研究開発センター
-
斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
-
棚本 哲史
(株)東芝研究開発センター
-
丸亀 孝生
(株)東芝研究開発センター
-
石川 瑞恵
(株)東芝研究開発センター
-
斉藤 好昭
東芝 研開セ
-
斉藤 好昭
(株)東芝研究開発センター
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