Tarucha Seigo | Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
樽茶 清悟
東大工
-
樽茶 清悟
東大物理工
-
樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
-
大岩 顕
東大工
-
樽茶 清悟
Ntt物基礎研:東大
-
大岩 顕
東大工:icorp-jst:jst-crest
-
樽茶 清吾
日本電信電話公社武蔵野通研
-
小幡 利顕
東大工
-
吉田 勝治
ICORP-JST
-
山本 倫久
東大工:erato-jst
-
Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
山本 倫久
東大物工
-
樽茶 清悟
ICORP-JST
-
都倉 康弘
NTT物性基礎研
-
都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
-
天羽 真一
ICORP-JST
-
平川 一彦
東大生研
-
大野 圭司
理研
-
柴田 憲治
東大生研
-
樽茶 清悟
東大物工
-
都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
-
久保 敏弘
Icorp
-
平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
-
柴田 憲治
東大ナノ量子機構
-
平川 一彦
東京大学生産技術研究所
-
Deacon R.
東大工
-
中川 一彦
東京大学生産技術研究所
-
塩谷 広樹
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
-
平川 一彦
東京大
-
久保 敏弘
ICORP-JST
-
都倉 康弘
ICORP-JST
-
申 潤錫
ICORP-JST
-
河野 公俊
理研
-
Russo Saverio
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo:kavli Institute Of Nanoscience Delft Universit
-
高橋 諒
東工大理工:理研
-
Russo Saverio
Exeter大学グラフェン科学センター物理部門
-
河野 公俊
理研:東工大理
-
高橋 諒
理研:東工大理
-
寺岡 総一郎
ICORP-JST
-
藤田 高史
東大工
-
大野 圭司
Icorp-jst:理研
-
Craciun Monica
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
吉田 勝治
東大工
-
高田 真太郎
東大工
-
小幡 利顕
ICORP-JST
-
小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
-
小寺 哲夫
東大理
-
木山 治樹
東大工
-
金井 康
東大工
-
ピオロラドリエル ミシェル
シェルブルック大
-
武田 健太
東大工
-
平川 一彦
Jst-crest:東大生研
-
羽田野 剛司
ICORP-JST
-
高倉 樹
東大工
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
-
谷山 智康
東工大応セラ研:jstさきがけ
-
高橋 諒
理研
-
Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics School Of Engineering University Of Tokyo
-
福岡 佑二
東工大量子ナノエレ研セ
-
大塚 朋廣
東大工
-
ブルナー ロランド
ICORP-JST
-
小田 俊理
東工大工
-
小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
-
小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
Austing David
NTT基礎研
-
浅山 徹哉
ソニー
-
渡辺 健太
帯広畜産大学畜産学部応用獣医学講座
-
高橋 駿
東大工
-
小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
徳光 晋太朗
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
-
Craciun Monica
Exeter大学グラフェン科学センター工学部門
-
Austing David
Ntt物性科学基礎研
-
Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
-
Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
-
Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
米田 淳
東大工
-
Austing D.
Nrc
-
小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
-
Russo Saverio
Exeter大
-
Brunner R.
ICORP-JST
-
大野 裕三
東北大通研
-
大野 英男
東北大通研
-
谷山 智康
東工大応セラ研
-
ピオロラドリエル ミシェル
ICORP-JST
-
泉田 渉
東北大理
-
樽茶 清悟
東大ナノ量子機構
-
樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
白木 靖寛
都市大総研
-
高橋 諒
東工大理工
-
河野 公俊
東工大理工
-
澤野 憲太郎
都市大総研
-
山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
-
Allison Giles
東大工
-
Wieck A.
Ruhr-Univ. Bochum
-
大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
-
Yamamoto Michihisa
Department of Applied Physics, The University of Tokyo
-
大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
天羽 真一
理研
-
寺岡 総一郎
東大工
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
野中 薫雄
琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科
-
石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
-
Austing D.
NRC Canada
-
勝本 信吾
東大物性研
-
小栗 章
大阪市大理
-
西川 裕規
大阪市大理
-
井上 敦文
東大工
-
李 相潤
東大物工
-
小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
-
日達 研一
東大理
-
金井 康
東大物工
-
Deacon R.
東大物工
-
大岩 顕
東大物工
-
谷山 智康
PRESTO-JST
-
Austing David
Nrc
-
五十嵐 悠一
東大理
-
Morpurgo Alberto
Kavli Institute Of Nanoscience Delft University Of Technology:dpmc And Gap University Of Geneva
-
Baugh Jonathan
Institute for Quantum Computing, University of waterloo
-
Pioda A.
東大工
-
浅山 徹哉
東大工
-
Bauerle C.
Inst. Neel
-
Baugh Jonathan
Institute For Quantum Computing University Of Waterloo
-
Morpurgo Alberto
Geneva大学
-
Austing D.
NRC-Canada
-
森本 和浩
東大工
-
野中 源一郎
九州大学薬学部
-
野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
-
阪野 塁
東大工
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
大野 圭司
ICORP-JST
-
Gupta J.
NRC
-
小坂 英男
東北大通研
-
松井 朋裕
東大院理
-
福山 寛
東大院理
-
Pioro-Ladriere M.
ICORP-JST
-
中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
-
Fukuyama Hidetoshi
Department Of Physics Univercsity Of Tokyo
-
Hewson A.
Imperial College
-
沼田 貴英
大阪市大理
-
小圭 哲去
東大ナノ量子機構
-
都木 宏之
東大工
-
熊谷 直人
東大ナノ量子機構
-
渡邊 克之
東大ナノ量子機構
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
-
樽茶 清悟
東大院工
-
西川 祐規
大阪市大理
-
高橋 宏輔
理研
-
河合 直樹
東大院理
-
木村 啓太
ソニー
-
勝本 信吾
東大物性研:東大ナノ量子機構
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
-
荒川 泰彦
東大生研
-
渡邉 克之
東大ナノ量子機構
-
ピオロ ラドリエル
ICORP-JST
-
Shin Y.-s.
Icorp-jst
-
近藤 裕佑
東北大通研
-
Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics School Of Engineering University Of Tokyo:icorp Spin Information Proje
-
木村 啓太
東大物工
-
財津 光一郎
東大物工
-
十時 詠吾
東大工
-
小坂 英男
東北大学通研
-
小島 治樹
東大院理
-
Deacon R.
東大院工
-
山本 倫久
東大院工
-
荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
-
都木 宏之
東大工:東大先端研
-
TOKURA Yasuhiro
NTT Basic Research Laboratories
-
Teraoka Soichiro
Quantum Spin Information Project International Cooperative Research Project Japan Science And Techno
-
Pioro-ladriere M.
Icorp
-
Pioro-Ladriere M.
シェルブルック大
-
申 潤錫
ポハン大理工
-
ブルナ ロランド
レオベン大
-
久保 敏弘
NTT物性基礎研
-
申 潤錫
浦項工科大学校
-
谷山 智康
東工大 総理工
-
Bauerle Christopher
東大工
-
小田 穣
東大工
-
KUBO Toshihiro
Quantum Spin Information Project, ICORP, Japan Science and Technology Agency
-
Katsumoto Shingo
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:crest Science And Technology Corporation
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Shibatomi Akihiro
Quantum Spin Information Project International Cooperative Research Project Japan Science And Techno
-
高橋 宏輔
理研:東工大
-
Bauerle C.
Inst. Neel:univ. Joesph Fourier
-
Bauerle Christopher
東大工:cnrs ニール研究所
-
Kubo Toshihiro
Quantum Spin Information Project International Cooperative Research Project Japan Science And Techno
-
Hatano Tsuyoshi
Quantum Spin Information Project International Cooperative Research Project Japan Science And Techno
-
Oostinga Jeroen
Kavli Institute Of Nanoscience Delft University Of Technology
-
AMAHA Shinichi
Quantum Spin Information Project, International Cooperative Research Project, Japan Science and Tech
-
Fukuyama Hidetoshi
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
-
Abstreiter G.
Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen
-
Amaha Shinichi
Quantum Spin Information Project International Cooperative Research Project Japan Science And Techno
-
Tokura Yasuhiro
Ntt Basic Research Laboratories Ntt Corporation
-
Tokura Yasuhiro
Ntt Bacic Research Laboratories Ntt Corporation
-
塩谷 広樹
東大物工
-
徳光 晋太朗
東大物工
-
Haffouz Sofiane
NRC-CNRC
著作論文
- 21pHW-6 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットのスピンに依存したクーロンピークの変化(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-10 零磁場スピン蓄積の超微細相互作用による検出(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-9 並列結合2重量子ドットを含むAharonov-Bohm干渉計における位相緩和(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aYF-4 並列結合2重量子ドット系における近藤効果(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-12 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-5 3スピン量子ビットの実装に向けた横型3重量子ドットの作製と評価(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pHW-7 3重量子ドット系の近藤効果 : 3角形配列の歪の影響II(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-10 超微細相互作用を利用した縦型二重量子ドット中の核スピン双方向分極制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-5 半導体2重量子ドットにおける単一円偏光の検出実験(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-11 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-15 異なるg因子を持つ縦型二重量子ドットにおける核スピン効果とNMR応答(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-13 互いに異なるg因子を持った二重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-7 縦型量子ドットにおける光生成キャリアの電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-3 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-11 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導特性のサイドゲート制御(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価とその制御(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-6 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導電流の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pRA-5 2層グラフェンPN接合における電気伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYF-10 電荷計による、縦型単一、二重量子ドットの電子数検出(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aWH-9 電子フォーカシングを用いたStern-Gerlach効果の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWQ-12 量子ドットを用いた単一光子検出を同定するための数値的アルゴリズム(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-10 微小磁石を配置した量子ドット2量子ビットのスワップ演算(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-7 Grapheneの磁場中STM/STS観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWQ-6 横型3重量子ドットにおける電荷検出信号の定量評価(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aVE-7 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットの近藤コンダクタンスの減少(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWH-7 単一量子ドット中の電子占有率ν>2における負性微分抵抗(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pWH-5 電荷検出器を備えた横型量子ドットにおける微弱光応答実験(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pVE-14 GaAs系量子ドットと量子ポイントコンタクトを用いた磁場下での単一光子検出(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-1 非断熱状態変化を用いた量子干渉計(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-9 InAs量子ドットジョセフソン接合におけるスピン一重項・三重項近藤効果における電気伝導(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-11 磁場を自己補償できる微小磁石型量子ドットEDSRサンプルの開発と実践(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-9 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aVE-5 飛行電荷量子ビットを用いたABリングにおける位相シフト観測(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aYF-3 量子細線-ABリング結合系における2電子干渉効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Magnetic and Electrical Control of Electron-Nuclear Spin Coupling in GaAs Double Quantum Dots(Advances in Spintronics)
- Rectifying Behavior in Laterally Coupled Self-Assembled Quantum Dots with Asymmetric Tunneling Barriers
- 27pYH-2 Shot-noise in graphene-based devices
- 27pYH-1 Contact resistance in graphene-based devices
- 22pTA-2 Tunable Band-Structure in Double-Gated Graphene Trilayer
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTA-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aHD-3 高速スピン回転操作のための大きな磁場差をもつ二重量子ドットデバイス(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHD-10 自己形成InAs量子ドットにおけるg-テンソルの電気的制御(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHD-5 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-11 自己形成InAs量子ドット超伝導量子干渉計における強い近藤効果領域での位相測定(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-6 隣接量子ドット間ゼーマンエネルギー差の微小磁石設計による制御(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-1 単一InAs自己形成量子ドットにおける光介在トンネル(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-4 ガリウムヒ素系量子ドットにおける順方向オーバーハウザーシフト(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-3 光子偏光量子状態転写を用いた単一電子スピン状態トモグラフィ手法の提案(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-9 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象と核スピン効果(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-3 2重量子ドットでの単一光励起電子のドット間トンネリング検出(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-6 g-因子制御量子井戸の電子スピン共鳴(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-7 2層グラフェンPN接合デバイスの整流特性制御とバンドギャップ値の評価(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-2 3層グラフェンにおける輸送現象の積層構造依存性(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTE-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(23pTE 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 表面弾性波を用いた単一電子移送 : 飛行電子の量子光学実験に向けて
- 27pCE-3 表面弾性波を用いた離れた量子ドット間の単一電子移送(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pBJ-7 Hund則を有する量子ドット系の近藤効果による低バイアス非平衡電流II(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pSB-3 グラフェンに対する歪み印加方法の検討と歪み効果の解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 量子ドットを使った単一光生成電子の制御とスピン検出
- 24pBJ-6 結合量子細線・ABリング複合系を用いた量子ドットにおける電子の伝達位相の測定(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-New direction in device physics,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aEC-10 グラフェンにおける一様な一軸性歪みの導入方法とその移動度に関する影響(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aFB-8 電子ポンプによる非平衡単一電子輸送(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 固体量子情報の長距離移送と量子電子光学実験への挑戦
- 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXQ-2 並列二重量子ドットジョセフソン接合における非局所トンネル過程の検出(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXG-3 表面弾性波による単一電子輸送(27pXG 領域4,領域3,領域5,領域7,領域10合同シンポジウム:フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開Novel phononic electronics in solid state devices,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXQ-7 スピンブロッケイドの電流閉塞状態の遷移と電流の2値的振る舞い(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXP-3 一軸性歪みを導入した一層グラフェンの電気伝導の研究(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXQ-7 g-因子制御GaAs系量子井戸に作成した横型量子ドットにおける単一光子応答(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-8 多電子領域における量子ドットの伝達位相測定(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aDD-4 表面弾性波を用いた単一電子のコヒーレント制御(量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))