22pTA-2 Tunable Band-Structure in Double-Gated Graphene Trilayer
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-08-25
著者
-
山本 倫久
東大工:erato-jst
-
Russo Saverio
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo:kavli Institute Of Nanoscience Delft Universit
-
山本 倫久
東大物工
-
Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics School Of Engineering University Of Tokyo
-
Russo Saverio
Exeter大学グラフェン科学センター物理部門
-
Craciun Monica
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
Morpurgo Alberto
Kavli Institute Of Nanoscience Delft University Of Technology:dpmc And Gap University Of Geneva
-
Oostinga Jeroen
Kavli Institute Of Nanoscience Delft University Of Technology
-
Yamamoto Michihisa
Department of Applied Physics, The University of Tokyo
-
Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
Craciun Monica
Exeter大
関連論文
- 21pHW-6 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットのスピンに依存したクーロンピークの変化(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-10 零磁場スピン蓄積の超微細相互作用による検出(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-9 並列結合2重量子ドットを含むAharonov-Bohm干渉計における位相緩和(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aYF-4 並列結合2重量子ドット系における近藤効果(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-12 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-5 3スピン量子ビットの実装に向けた横型3重量子ドットの作製と評価(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pHW-7 3重量子ドット系の近藤効果 : 3角形配列の歪の影響II(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-11 縦型二重量子ドットにおける電子スピン-核スピン結合ダイナミクス(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-10 超微細相互作用を利用した縦型二重量子ドット中の核スピン双方向分極制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-5 半導体2重量子ドットにおける単一円偏光の検出実験(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-11 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-15 異なるg因子を持つ縦型二重量子ドットにおける核スピン効果とNMR応答(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-13 互いに異なるg因子を持った二重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-7 縦型量子ドットにおける光生成キャリアの電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aRA-10 Grapheneの磁場中STS観測(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 31a-H-12 スクッテルダイト型化合物SmRu_4P_12の光電子分光
- 21aHV-3 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-11 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導特性のサイドゲート制御(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価とその制御(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-6 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導電流の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pRA-5 2層グラフェンPN接合における電気伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYF-10 電荷計による、縦型単一、二重量子ドットの電子数検出(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aWH-9 電子フォーカシングを用いたStern-Gerlach効果の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWQ-12 量子ドットを用いた単一光子検出を同定するための数値的アルゴリズム(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-10 微小磁石を配置した量子ドット2量子ビットのスワップ演算(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-7 Grapheneの磁場中STM/STS観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWQ-6 横型3重量子ドットにおける電荷検出信号の定量評価(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aVE-7 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットの近藤コンダクタンスの減少(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWH-7 単一量子ドット中の電子占有率ν>2における負性微分抵抗(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aWF-5 伝播モード可変量子細線中の量子ドットの電気伝導(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-5 電荷検出器を備えた横型量子ドットにおける微弱光応答実験(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pVE-14 GaAs系量子ドットと量子ポイントコンタクトを用いた磁場下での単一光子検出(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pXJ-3 結合量子細線における整流ドラッグ効果(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-1 非断熱状態変化を用いた量子干渉計(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aXL-10 ナノギャップ電極間のInAsドットにおける近藤効果の観測(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-9 InAs量子ドットジョセフソン接合におけるスピン一重項・三重項近藤効果における電気伝導(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-11 磁場を自己補償できる微小磁石型量子ドットEDSRサンプルの開発と実践(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-9 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 31aZK-6 結合量子細線における細線間のトンネル電流
- 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 17aYG-9 結合量子細線における負のドラッグ抵抗
- 28aYS-8 結合量子細線におけるクーロンドラッグとフォノンドラッグ
- 24pSA-5 結合量子細線におけるクーロンドラッグの温度特性
- 24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
- 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 28aVE-5 飛行電荷量子ビットを用いたABリングにおける位相シフト観測(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aYF-3 量子細線-ABリング結合系における2電子干渉効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTH-9 量子ドットにおける多準位伝導と電流雑音相関(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pYC-5 非対称結合量子細線における負のクーロンドラッグ(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12pYC-5 量子細線-量子ドット結合系における負のクーロンドラッグ(量子細線, 領域 4)
- 24pK-12 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- Magnetic and Electrical Control of Electron-Nuclear Spin Coupling in GaAs Double Quantum Dots(Advances in Spintronics)
- Rectifying Behavior in Laterally Coupled Self-Assembled Quantum Dots with Asymmetric Tunneling Barriers
- 27pYH-2 Shot-noise in graphene-based devices
- 27pYH-1 Contact resistance in graphene-based devices
- 22pTA-2 Tunable Band-Structure in Double-Gated Graphene Trilayer
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTA-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aHD-3 高速スピン回転操作のための大きな磁場差をもつ二重量子ドットデバイス(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHD-10 自己形成InAs量子ドットにおけるg-テンソルの電気的制御(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHD-5 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-11 自己形成InAs量子ドット超伝導量子干渉計における強い近藤効果領域での位相測定(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-6 隣接量子ドット間ゼーマンエネルギー差の微小磁石設計による制御(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-1 単一InAs自己形成量子ドットにおける光介在トンネル(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-4 ガリウムヒ素系量子ドットにおける順方向オーバーハウザーシフト(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-3 光子偏光量子状態転写を用いた単一電子スピン状態トモグラフィ手法の提案(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-9 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象と核スピン効果(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-3 2重量子ドットでの単一光励起電子のドット間トンネリング検出(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aTL-6 g-因子制御量子井戸の電子スピン共鳴(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-7 2層グラフェンPN接合デバイスの整流特性制御とバンドギャップ値の評価(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-2 3層グラフェンにおける輸送現象の積層構造依存性(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTE-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(23pTE 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 表面弾性波を用いた単一電子移送 : 飛行電子の量子光学実験に向けて
- 27pCE-3 表面弾性波を用いた離れた量子ドット間の単一電子移送(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pBJ-7 Hund則を有する量子ドット系の近藤効果による低バイアス非平衡電流II(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pSB-3 グラフェンに対する歪み印加方法の検討と歪み効果の解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 量子ドットを使った単一光生成電子の制御とスピン検出
- 24pBJ-6 結合量子細線・ABリング複合系を用いた量子ドットにおける電子の伝達位相の測定(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-New direction in device physics,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aEC-10 グラフェンにおける一様な一軸性歪みの導入方法とその移動度に関する影響(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aFB-8 電子ポンプによる非平衡単一電子輸送(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 固体量子情報の長距離移送と量子電子光学実験への挑戦
- 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXQ-2 並列二重量子ドットジョセフソン接合における非局所トンネル過程の検出(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXG-3 表面弾性波による単一電子輸送(27pXG 領域4,領域3,領域5,領域7,領域10合同シンポジウム:フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開Novel phononic electronics in solid state devices,領域3(磁性,磁気共鳴))