Russo Saverio | Department Of Applied Physics The University Of Tokyo:kavli Institute Of Nanoscience Delft Universit
スポンサーリンク
概要
- Russo Saverioの詳細を見る
- 同名の論文著者
- Department Of Applied Physics The University Of Tokyo:kavli Institute Of Nanoscience Delft Universitの論文著者
関連著者
-
山本 倫久
東大工:erato-jst
-
Russo Saverio
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo:kavli Institute Of Nanoscience Delft Universit
-
山本 倫久
東大物工
-
Russo Saverio
Exeter大学グラフェン科学センター物理部門
-
Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
Craciun Monica
Exeter大
-
Craciun Monica
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
樽茶 清悟
東大工
-
塩谷 広樹
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
-
徳光 晋太朗
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
-
Craciun Monica
Exeter大学グラフェン科学センター工学部門
-
塩谷 広樹
東大工
-
Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics School Of Engineering University Of Tokyo
-
Yamamoto Michihisa
Department of Applied Physics, The University of Tokyo
-
Russo Saverio
Exeter大
-
山本 倫久
東大工
-
樽茶 清悟
東大物理工
-
Morpurgo Alberto
Kavli Institute Of Nanoscience Delft University Of Technology:dpmc And Gap University Of Geneva
-
Morpurgo Alberto
Geneva大学
-
徳光 晋太朗
東大工
-
Jhang S.
Regensburg大
-
Strunk C.
Regensburg大
-
樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
-
樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
樽茶 清悟
東大物工
-
山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
-
Oostinga Jeroen
Kavli Institute Of Nanoscience Delft University Of Technology
-
塩谷 広樹
東大物工
-
徳光 晋太朗
東大物工
-
Wosnitza J.
Dresden High Magnetic Field Laboratory
-
Jhang SungHo
Regensburg大学
-
Schmidmeier Silvia
Regensburg大学
-
Strunk Christoph
Regensburg大学
-
Saverio Russo
Exeter大
-
Craciun M.
Exeter大
-
Schmidmeier S.
Regensburg大
-
Russo S.
Exeter大
-
Skourski Y.
Dresden High Magnetic Field Laboratory
-
樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科
-
山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科
-
塩谷 広樹
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
著作論文
- 24pRA-5 2層グラフェンPN接合における電気伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 27pYH-2 Shot-noise in graphene-based devices
- 27pYH-1 Contact resistance in graphene-based devices
- 22pTA-2 Tunable Band-Structure in Double-Gated Graphene Trilayer
- 27pTA-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-7 2層グラフェンPN接合デバイスの整流特性制御とバンドギャップ値の評価(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-2 3層グラフェンにおける輸送現象の積層構造依存性(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTE-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(23pTE 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))