22aTL-7 2層グラフェンPN接合デバイスの整流特性制御とバンドギャップ値の評価(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-08-24

著者

• 樽茶 清悟

  東大工

• 山本 倫久

  東大工:erato-jst

• Russo Saverio

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo:kavli Institute Of Nanoscience Delft Universit

• 山本 倫久

  東大物工

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 塩谷 広樹

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター

• Russo Saverio

  Exeter大学グラフェン科学センター物理部門

• Craciun Monica

  Exeter大学グラフェン科学センター工学部門

• Craciun Monica

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• Yamamoto Michihisa

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 塩谷 広樹

  東大工

• Saverio Russo

  Exeter大

• Craciun Monica

  Exeter大

• 山本 倫久

  東大工

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