山本 倫久 | 東大物工
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概要
関連著者
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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山本 倫久
東大物工
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Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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樽茶 清悟
東大工
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Russo Saverio
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo:kavli Institute Of Nanoscience Delft Universit
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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Russo Saverio
Exeter大学グラフェン科学センター物理部門
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Craciun Monica
Exeter大
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山本 倫久
東大工
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Craciun Monica
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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樽茶 清悟
東大物理工
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塩谷 広樹
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
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徳光 晋太朗
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
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Craciun Monica
Exeter大学グラフェン科学センター工学部門
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塩谷 広樹
東大工
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樽茶 清悟
東大物工
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics School Of Engineering University Of Tokyo
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大岩 顕
東大工:icorp-jst:jst-crest
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Yamamoto Michihisa
Department of Applied Physics, The University of Tokyo
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Russo Saverio
Exeter大
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松井 朋裕
東大院理
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福山 寛
東大院理
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Fukuyama Hidetoshi
Department Of Physics Univercsity Of Tokyo
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樽茶 清悟
東大院工
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木村 啓太
ソニー
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五十嵐 悠一
東大理
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Morpurgo Alberto
Kavli Institute Of Nanoscience Delft University Of Technology:dpmc And Gap University Of Geneva
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小島 治樹
東大院理
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Deacon R.
東大院工
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山本 倫久
東大院工
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五十嵐 悠一
東京大学理学系研究科
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山本 倫久
東京大学工学系研究科
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大岩 顕
東京大学工学系研究科
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樽茶 清悟
東京大学工学系研究科
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高田 真太郎
東大工
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Fukuyama Hidetoshi
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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Morpurgo Alberto
Geneva大学
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徳光 晋太朗
東大工
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Jhang S.
Regensburg大
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Strunk C.
Regensburg大
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樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科
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高田 真太郎
東京大学大学院工学系研究科
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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神原 浩
産総研
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吉田 勝治
ICORP-JST
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平川 一彦
東大生研
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大野 圭司
理研
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中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
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町田 友樹
東大生産研
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神原 浩
東大院理
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町田 友樹
東京大学生産技術研究所
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
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井上 敦文
東大工
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大岩 顕
東大工
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樽茶 清悟
Ntt物基礎研:東大
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樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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平川 一彦
東京大学生産技術研究所
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河合 直樹
東大院理
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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近藤 裕佑
東大物工
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
-
荒川 泰彦
東大生研
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渡邉 克之
東大ナノ量子機構
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中岡 俊裕
東京大学生産技術研究所
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Gossard Art
カリフォルニア大サンタバーバラ校
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中川 一彦
東京大学生産技術研究所
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山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
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近藤 裕佑
東北大通研
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木村 啓太
東大物工
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財津 光一郎
東大物工
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Baugh Jonathan
Institute for Quantum Computing, University of waterloo
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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渡邉 克之
東京大学生産技術研究所
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Jung Minkyung
東京大学生産技術研究所
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Bauerle C.
Inst. Neel
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Wieck A.
Ruhr-Univ. Bochum
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樽茶 清吾
日本電信電話公社武蔵野通研
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平川 一彦
東京大
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Bauerle Christopher
東大工
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小田 穣
東大工
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Zhang Yiming
ハーバード大
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DiCarlo Leonard
ハーバード大
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McClure Douglas
ハーバード大
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Marcus Charles
ハーバード大
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Hanson Micah
カリフォルニア大サンタバーバラ校
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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Bauerle C.
Inst. Neel:univ. Joesph Fourier
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Bauerle Christopher
東大工:cnrs ニール研究所
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Baugh Jonathan
Institute For Quantum Computing University Of Waterloo
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Oostinga Jeroen
Kavli Institute Of Nanoscience Delft University Of Technology
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山本 倫久
東大物工:erato-jst
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塩谷 広樹
東大物工
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徳光 晋太朗
東大物工
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Wosnitza J.
Dresden High Magnetic Field Laboratory
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Jhang SungHo
Regensburg大学
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Schmidmeier Silvia
Regensburg大学
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Strunk Christoph
Regensburg大学
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Saverio Russo
Exeter大
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Craciun M.
Exeter大
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Schmidmeier S.
Regensburg大
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Russo S.
Exeter大
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Skourski Y.
Dresden High Magnetic Field Laboratory
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大野 圭司
東京大学理学系研究科
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Bauerle C.
Inst. Nee.:Univ. Joesph Fourier
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山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科
-
塩谷 広樹
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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樽茶 清悟
NTT電気通信研究所
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大野 圭司
東大理:
-
樽茶 清悟
NTT物性基礎研:東大理:ERATO Mesoscopic Correlation Project
著作論文
- 21pHW-6 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットのスピンに依存したクーロンピークの変化(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-11 縦型二重量子ドットにおける電子スピン-核スピン結合ダイナミクス(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aRA-10 Grapheneの磁場中STS観測(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24pRA-5 2層グラフェンPN接合における電気伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYF-10 電荷計による、縦型単一、二重量子ドットの電子数検出(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-7 Grapheneの磁場中STM/STS観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aXA-1 非断熱状態変化を用いた量子干渉計(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 28aVE-5 飛行電荷量子ビットを用いたABリングにおける位相シフト観測(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aYF-3 量子細線-ABリング結合系における2電子干渉効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTH-9 量子ドットにおける多準位伝導と電流雑音相関(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pYH-2 Shot-noise in graphene-based devices
- 27pYH-1 Contact resistance in graphene-based devices
- 22pTA-2 Tunable Band-Structure in Double-Gated Graphene Trilayer
- 27pTA-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-7 2層グラフェンPN接合デバイスの整流特性制御とバンドギャップ値の評価(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-2 3層グラフェンにおける輸送現象の積層構造依存性(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTE-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(23pTE 領域7,領域4,領域9合同シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 表面弾性波を用いた単一電子移送 : 飛行電子の量子光学実験に向けて