大野 圭司 | Icorp-jst:理研
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概要
関連著者
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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大野 圭司
理研
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大野 圭司
東大理
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樽茶 清悟
東大理
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樽茶 清悟
東大工
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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久津輪 武史
CREST-JST
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Austing David
NTT基礎研
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Austing David
Nrc
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Austing D.
Nrc
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小坂 英男
東北大通研
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Austing David
Ntt物性科学基礎研
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大野 圭司
東京大学理学系研究科
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天羽 真一
ICORP-JST
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平山 祥郎
東北大理
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河野 公俊
理研
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平山 祥郎
東北大:sorst-jstf
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河野 公俊
理研:東工大理
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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山本 倫久
東大物工:erato-jst
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枝松 圭一
東北大通研
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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大野 圭司
東大理:
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桑原 真人
名古屋大学・大学院理学研究科
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桑原 真人
CREST-JST
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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樽茶 清悟
東大物理工
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三森 康義
東北大通研
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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佐々木 智
Nit物性基礎研
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大野 圭司
東京大学理学系研究科物理学 Crest-project(jst)
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山本 倫久
東大理
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高橋 諒
東工大理工:理研
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Stopa M.
Erato
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樽茶 清悟
東京大学理学系研究科
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高橋 諒
理研:東工大理
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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寺岡 総一郎
ICORP-JST
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佐藤 俊彦
Erato
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Stopa M.
ERATO SORST
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天羽 真一
東大理
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Austing D.
NTT物性基礎研究所
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北村 陽介
東工大
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樽茶 清悟
東大物工
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佐々木 智子
NTT基礎研
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Austing D.
Ntt物性基礎研
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新井 宏一郎
Crest-jst:erato-jst
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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山口 智弘
Erato
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樽茶 清悟
東大ナノ量子機構
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小寺 哲夫
東大理
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北村 陽介
東大工
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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山口 智宏
理研
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大野 圭司
東大工
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今野 貴支
東北大通研
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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金城 英人
東北大通研
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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平山 祥郎
NTT物性科学基礎研
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樽茶 清悟
ICORP-JST
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大野 圭司
ICORP-JST
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宮下 宣
NTT-AT
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高橋 諒
東工大理工
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河野 公俊
東工大理工
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高橋 諒
理研
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高橋 宏輔
理研
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Austing D.
NTT基礎研
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西 義史
(株)東芝研究開発センター・LSI基盤技術ラボラトリー
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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新井 宏一郎
CREST-JST
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高橋 宏輔
理研:東工大
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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都倉 康弘
ICORP-JST
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Austing D.
NRC Canada
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Gupta J.
NRC
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寺岡 総一郎
ERATO SORST
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樽茶 清悟
ERATO SORST
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枝松 圭一
東北大学通研
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横山 直樹
(株)富士通研究所
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泉田 渉
東北大理
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西 義史
東大理
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太田 剛
NTT物性基礎研
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平山 祥郎
SORST-JST
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宋 海智
(株)富士通研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所
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上村 崇史
筑波大
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松本 和彦
産総研
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樽茶 清悟
科技団創造
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宮澤 俊之
(株)富士通研究所
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横山 弘泰
東大理
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浅山 徹哉
東大理
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黄 日華
理研
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小坂 英男
CREST-JST
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横山 直樹
ナノテクノロジー研究センター株式会社富士通研究所
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中田 義昭
(株)富士通研究所:(株)qdレーザ
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村木 康二
NTT基礎研
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浅山 徹哉
ソニー
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高橋 明雄
東大理
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松本 和彦
産総研:阪大産研
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小坂 英男
東北大学通研
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新田 英嗣
東大理
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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山本 倫久
東京大学理学系研究科
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小坂 英男
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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Austing D.G.
NTT基礎研
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新井 宏一郎
ERATO-JST
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黄 日華
理研:東工大理工
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樽茶 清悟
ERATO
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久保 敏弘
ICORP-JST
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久保 敏弘
Icorp
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池畑 誠一郎
東理大理
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秋永 広幸
JRCAT
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執行 英樹
東北大通研
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村木 康二
NTT物性基礎研
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秋元 彦太
理研
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眞砂 卓史
JRCAT
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田中 雅明
東大工
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眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
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林 稔晶
Ntt物性基礎研
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平山 祥郎
Ntt基礎研
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伊藤 雅浩
東理大理:理研
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小宮山 進
東大総合文化
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小宮山 進
東京大学総合文化研究科
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池畑 誠一郎
東大 理
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川村 稔
理研
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太田 剛
SORST-JST
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山田 和正
九大院理
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山田 和正
九大理
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羽田野 剛司
科技団創造
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Stopa Michael
ERATO
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山田 和正
ERATO
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肥後 豊
東大工
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臼杵 達哉
(株)富士通研究所
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平山 祥朗
NTT物性基礎研
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太田 剛
科技団創造
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佐藤 俊彦
科技団創造
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大島 利雄
(株)富士通研究所
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本田 元就
東大理
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黄 旭明
理研
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天羽 真一
ERATO-JST
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沼田 愛彦
東大理
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佐々木 智
NTT基礎研
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近藤 裕佑
東大物工
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木村 啓太
ソニー
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山本 倫久
東大物工
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高津 求
(株)富士通研究所
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中田 義昭
富士通研究所
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田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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Wiel van
東大理O
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北村 吉隆
東大理
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泉田 渉
ERATO
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五十嵐 悠一
東大物理,東大物工
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大野 圭司
東大物理,東大物工
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樽茶 清悟
東大物理,東大物工
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臼杵 達哉
株式会社富士通研究所
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三森 康義
CREST-JST
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五十嵐 悠一
東大理
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井下 猛
科技団
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井下 猛
東大・理
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井下 猛
新技術事業団量子遷移プロジェクト
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近藤 裕佑
東北大通研
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Baugh Jonathan
Waterloo大
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大岩 顕
東工大
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樽茶 清悟
東工大
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Astafiev Oleg
東大総合文化:nec基礎研
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山口 健作
東大理
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大岩 顕
東大工:icorp-jst:jst-crest
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西 義史
Univ. Tokyo
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大野 圭司
Univ. Tokyo
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樽茶 清悟
Univ. Tokyo
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川村 稔
理研:jstさきがけ
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山口 晋平
東大理
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Austing D.G.
NTT基研
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都倉 康弘
NTT基研
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樽茶 清悟
東大理、NTT基礎研
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都倉 庫弘
NTT基礎研
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三森 康義
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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藤原 稔
Ntt基礎研
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高橋 庸夫
Ntt基礎研
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黄 旭明
理研:台湾交通大
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大野 圭司
CREST-JST
-
金城 英人
東北大学通研
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Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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山本 倫久
東大工
-
寺岡 総一郎
ICORP-JST:東大工
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樽茶 清悟
東京大学理学系研究科:NTT物性基礎研究所
-
羽田野 剛司
ICORP-JST:ERATO-JST
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樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科
-
樽茶 清悟
科技団:東大理
著作論文
- 26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-4 g因子制御電界閉じ込め2重量子ドットにおける単一電子スピンコヒーレント制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-14 g因子制御電界閉じ込め二重量子ドットにおける単一電子スピン共鳴とg因子検出(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-11 縦型二重量子ドットにおける電子スピン-核スピン結合ダイナミクス(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-10 超微細相互作用を利用した縦型二重量子ドット中の核スピン双方向分極制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTA-8 縦型二重量子ドットにおける交換エネルギー(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pZP-8 熱CVD法により成長したサスペンデッドカーボンナノチューブの低温伝導特性(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 23aXF-5 電極上に熱 CVD 成長したカーボンナノチューブの低温伝導特性
- 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
- 18aYJ-8 磁性半導体GaMnAs縦型量子ドットの電気伝導特性
- 30pTX-9 スピン閉塞状態での過渡現象(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31aZK-5 可変トンネル障壁を有する量子細線の電気伝導
- 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
- 17aYG-8 2重ショットキーゲート電極による1-0-1次元構造の作成
- 18pWA-6 GaAs基板上に成長したCo/Al_2O_3/Feのスピンバルブ特性
- 21aHV-11 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-15 異なるg因子を持つ縦型二重量子ドットにおける核スピン効果とNMR応答(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-13 互いに異なるg因子を持った二重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-7 金属ナノギャップ間に挟まれたCdSe半導体ナノ結晶の電気伝導2(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-7 縦型量子ドットにおける光生成キャリアの電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 31aZP-5 2 次元電子量子ホール系における電子スピン共鳴と核スピンポンピング
- 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
- 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
- 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
- 20aYK-11 g因子制御量子井戸構造における量子輸送の光応答特性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-4 光子スピン量子メディア変換のための結合量子ドットスピン依存量子輸送特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aPS-136 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子井戸構造における光応答特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTH-10 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における光応答特性(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTH-11 光子スピン量子状態転写のためのg因子制御量子ドット構造における量子輸送特性(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aTA-7 縦型2重量子ドットにおける間接励起子の電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTH-1 少数電子 2 重量子ドットの高周波操作
- 27pTB-2 少数電子を含む人工原子の近藤効果とコトンネリング
- 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-12 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYB-9 半導体縦型二重量子ドットにおける二重ゲートによる電子状態の制御(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 21aTA-9 縦型二重量子ドットを用いた動的核スピン偏極率の測定(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aXL-9 縦型二重量子ドットにおけるスピン一重項-三重項のミキシング制御(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-7 2重量子ドットスピンブロッケード条件でのマイクロ波照射効果(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aWF-6 二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケードの電気的制御(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aTA-9 単一量子ドットによる単一光子から単一電子への変換と非破壊検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29aYH-9 2 重量子ドットにおける電子-核相互作用とトンネル電流不安定性
- 量子ドット中の電子スピンの相互作用と制御 (特集号)
- 26pD-1 微小半導体リング構造のトンネル特性
- 24pWQ-9 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 30aYA-11 半導体人工原子の励起スペクトルにおけるゼーマン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 21aTA-10 オフセット可変2重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 31aZK-6 結合量子細線における細線間のトンネル電流
- 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 17aYG-9 結合量子細線における負のドラッグ抵抗
- 28aYS-8 結合量子細線におけるクーロンドラッグとフォノンドラッグ
- 28aYS-7 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線における磁気ミニバンドとコンダクタンス振動
- 24pSA-5 結合量子細線におけるクーロンドラッグの温度特性
- 25pK-2 縦型2重量子ドットにおけるドット間トンネルのスピンブロッケード
- 24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
- 26pD-3 弱結合縦型二重ドットの電気伝導II
- 26aD-9 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線のコンダクタンス特性
- 31p-A-2 弱結合縦型二重ドットの電気伝導
- 27p-YG-7 弱結合2重量子ドットのトンネルにおける選択則
- 28aYA-7 量子ドットにおける電子スピン・核スピン制御(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 27pTB-3 2重量子ドットにおけるLOフォノン介在トンネリング
- 24pK-12 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 18pYJ-3 スピンブロッケード状態下の量子ドットにおける動的核スピン分極
- 27aXC-8 光子スピン量子状態転写のためのGaAs系量子トラスポート素子の単一光子応答(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pD-4 Si量子ドットのゼーマン効果
- 18pYJ-6 多重ゲート縦型二重量子ドットにおける面内閉じ込め異方性の制御
- 25pPSA-14 光子スピン量子状態転写のための単一量子ドットによる単一光子応答(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-13 光子スピン量子状態転写のための量子トランスポート測定によるGaAs系量子構造のg因子推定II(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXC-10 光子スピン量子状態転写のための量子トランスポート測定によるGaAs系量子構造のg因子推定(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-11 半導体二重量子ドットにおける核スピンのコヒーレント制御(量子ホール効果)(領域4)
- 22pTH-6 スピンブロッケード状態下の量子ドットにおける核スピン制御
- [招待講演]半導体2重量子ドットにおけるスピン依存伝導
- [招待講演]半導体2重量子ドットにおけるスピン依存伝導
- 縦型2重量子ドットにおけるスピン選択トンネル
- 縦型2重量子ドットにおけるスピン選択トンネル
- 24pBJ-5 直列2重量子ドットにおける波動関数mappingとLO phonon効果(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))