川村 稔 | 理研

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概要

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• 理研の論文著者

関連著者

• 川村 稔

  理研

• 町田 友樹

  東大生産研

• 川村 稔

  理研:jstさきがけ

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 川村 稔

  東大生産研

• 浜屋 宏平

  九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構

• 浜屋 宏平

  東大生産研

• 兵屋 宏平

  東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ

• 浜屋 宏平

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 橋本 義昭

  東大物性研

• 増渕 覚

  東大生産研

• 高橋 裕之

  東大生産研

• 増渕 覚

  東京大学生産技術研究所

• 橋本 義昭

  東京大学物性研究所

• 遠藤 彰

  東大物性研

• 家 泰弘

  東大物性研

• 川村 稔

  東大物性研

• 五十嵐 九四郎

  東工大応セラ研

• 笹川 崇男

  東工大応セラ研

• 花栗 哲郎

  理研

• 小野 雅司

  東京大学生産技術研究所

• 小野 雅司

  東大生産研

• 高木 英典

  理研

• 杉原 加織

  東大生産研

• 勝本 信吾

  東大物性研:東大ナノ量子機構

• 河野 公俊

  理研

• 高木 英典

  理化学研究所

• 高木 秀典

  東大物性研

• Toyoda Haruhisa

  Department Of Material Physics Faculty Of Engineering Science Osaka University

• Takagi Hidenori

  The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo

• 高木 英典

  理研:東北大多元研:東大新領域

• Takagi Hidenori

  Engineering Research Institute Faculty Of Engineering University Of Tokyo

• Takagi Hidenori

  Department Of Advanced Materials Science University Of Tokyo

• 花栗 哲郎

  独立行政法人理化学研究所基幹研究所高木磁性研究室

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ

• 矢口 宏

  東理大理工

• 谷山 智康

  東工大応セラ研

• 平川 一彦

  東大生研

• 川村 稔

  NTT物性基礎研

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 柴田 憲治

  東大ナノ量子機構

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 荒川 泰彦

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• 柴田 憲治

  東大生研

• 平川 一彦

  東大生産研

• 山下 達也

  東大生産研

• 平川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 石田 悟己

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 柴田 憲治

  東大生産研

• 石田 悟己

  東大先端研

• 北畠 未来

  東大生産研

• Jung M.

  東大生産研

• 中川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 荒川 泰彦

  1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会

• 平川 一彦

  東京大

• 河野 公俊

  理研:東工大理

• 柴田 憲治

  東京大学生産技術研究所

• 小林 典男

  東北大金研

• 佐々木 孝彦

  東北大金研

• 大野 圭司

  理研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 高木 英典

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 矢口 宏

  京大院理

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 本多 由季

  東北大金研

• 小林 清男

  東北大金研

• 小林 典男

  東北大学金属材料研究所

• 佐々木 孝彦

  東北大学金属材料研究所

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 澤野 憲太郎

  都市大総研

• 澤野 憲太郎

  武蔵工大総研

• 白木 靖寛

  武蔵工大総研

• Takagiwa Hiroyuki

  Department Of Physics Aoyama Gakuin University

• 佐々木 俊彦

  東北大金研

• 小林 典男

  IMR

• Takagi H

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo

• Takagi H

  Correlated Electron Research Center (cerc) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tec

• Katsumoto Shingo

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:crest Science And Technology Corporation

• 白木 靖寛

  東京都市大学工学部

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子

• 付英 双

  理研

• 澤野 憲太郎

  東京都市大

• 高木 英典

  東大物性研:京大化研

• 宇治 進也

  物材機構

• 前野 悦輝

  京大院理

• 池畑 誠一郎

  東理大理

• 菊川 直樹

  京大院理

• 滝沢 恵一

  京大院理

• 守谷 頼

  東大生産研

• l前野 悦輝

  京大院理

• 目野 誉喜

  NTT-ATN

• 仙場 浩一

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明C

  NTT物性基礎研

• 川村 稔

  独立行政法人理化学研究所

• 塚越 一仁

  理研

• 寺倉 千恵子

  産総研cerc

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 遠藤 彰

  東京大学物性研究所

• 家 泰弘

  東京大学物性研究所

• 伊藤 雅浩

  東理大理:理研

• 宇治 進也

  金材技研

• 寺倉 千恵子

  金材技研

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 池畑 誠一郎

  東大 理

• 浜屋 宏平

  東大ナノ量子機構

• 川村 稔

  東大ナノ量子機構

• 塚越 一仁

  産総研:crest(jst)

• 大野 圭司

  Icorp-jst:理研

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校

• 塚越 一仁

  物材機構:産総研ナノテクノロジー:理研

• 仙場 浩一

  Ntt物性科学基礎研究所

• 大野 恭秀

  阪大基礎工

• 下村 哲

  阪大基礎工

• 冷水 佐壽

  阪大基礎工

• 勝本 信吾

  東京大学物性研究所

• 新田 淳作

  NTT物性科学基礎研

• 新田 淳作

  Ntt物性科学基礎研究所

• L前野 悦輝

  京大院理:京大国際融合創造セ

• 川村 稔

  東京大学物性研究所

• Gottwald Daniel

  理研

• 菊川 直樹

  物材機構:st. Andrews大学

• 山本 宗平

  東工大応セラ研

• Gottwald Daniel

  理研:konstantz大

• 高木 英典

  東大理

• 大野 圭司

  東京大学理学系研究科

• 増渕 覚

  東大ナノ量子機構:東大ナノ量子機構

• 梅津 青司

  東大ナノ量子機構

• 守谷 頼

  東大ナノ量子機構

• 山下 達也

  東大ナノ量子機構

• 町田 友樹

  東大ナノ量子機構

• 町田 友樹

  東大ナノ量子機構:東大ナノ量子機構

• 高木 英典

  東大理:Max Planck Institut

• 高木 英典

  理研:東大理:Max-Planck-Institute

• 仙場 浩一

  NTT物性基磁研

• 大野 圭司

  東大理:

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著作論文

• 20pHV-9 量子ホール効果ブレークダウンによる動的核スピン偏極の電流方向依存性(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aWF-5 共晶体を用いたSr_2RuO_4/Ru接合の準粒子トンネル効果(Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• スピン三重項超伝導体ルテニウム酸化物Sr2RuO4におけるトンネル効果 (〈超伝導接合の物理と応用〉特集号) -- (異方的超伝導体の物理)
• 27aXC-2 Sr_2RuO_4-Ru共晶体における常伝導体/異方的超伝導体接合の電気伝導(Ru酸化物)(領域8)
• 25pXD-12 核スピンをプローブとした量子ホール端状態におけるスピン偏極状態の検出(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-4 分数量子ホール端状態における動的核スピン偏極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pHV-8 量子ホール効果ブレークダウンにおける核スピン偏極極性の検出(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-5 量子ホール効果ブレークダウンを利用した歪みによる電気四重極分離の観測(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-8 動的核スピン偏極によるv=2/3分数量子ホール状態のスピン相転移点シフト(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWB-7 単層グラフェンにおける異常量子ホール効果の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-8 単層グラフェンにおけるスピン依存伝導の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pYF-7 金属ナノギャップ間に挟まれたCdSe半導体ナノ結晶の電気伝導2(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pXA-11 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3におけるDirac表面状態の磁場中STM/STS(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pXA-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の高磁場磁気抵抗,磁気トルク測定(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-6 エッジーバルク間非平衡分布による動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-8 整数量子ホール効果ブレークダウンを利用した動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aYS-6 短周期1次元平面超格子中の2次元電子系における磁気抵抗ゆらぎ
• 19aWF-4 金微粒子を用いた単電子トランジスタ(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 17pYG-7 強磁場中における超伝導体/2次元電子ガス接合の輸送特性
• 24pD-10 多層量子ホール系における横磁場の効果
• 26aHG-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の高磁場磁気抵抗,磁気トルク測定II(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pSA-3 短周期1次元平面超格子の半奇数充填率近傍での磁気伝導
• 30p-ZB-11 斜め磁場中における多層量子ホール系の垂直伝導
• 30p-ZB-11 斜め磁場中における多層量子ホール系の垂直伝導
• 26p-YG-6 多層量子ホール系の垂直伝導
• 26p-YG-6 多層量子ホール系の垂直伝導
• 23aTL-11 量子ポイントコンタクトを用いた抵抗検出型核磁気共鳴(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTC-5 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の磁場中分光イメージング(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 31a-S-10 GaAs/AIGaAs超格子における角度依存磁気抵抗振動
• 27pCJ-2 偶数量子ホール状態ブレークダウンを用いた動的核スピン偏極(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aDD-3 不純物ポテンシャル近傍におけるトポロジカル表面状態のランダウ準位(モデル計算)(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aDD-4 トポロジカル絶縁体のDirac表面状態におけるZeeman効果(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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