五十嵐 九四郎 | 東工大応セラ研
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概要
関連著者
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五十嵐 九四郎
東工大応セラ研
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笹川 崇男
東工大応セラ研
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花栗 哲郎
理研
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川村 稔
理研
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高木 英典
理研
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高木 英典
理化学研究所
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高木 秀典
東大物性研
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Toyoda Haruhisa
Department Of Material Physics Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Takagi Hidenori
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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高木 英典
理研:東北大多元研:東大新領域
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加納 学
東工大応セラ研
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Takagi Hidenori
Engineering Research Institute Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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Takagi Hidenori
Department Of Advanced Materials Science University Of Tokyo
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花栗 哲郎
独立行政法人理化学研究所基幹研究所高木磁性研究室
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山本 宗平
東工大応セラ研
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小林 典男
東北大金研
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佐々木 孝彦
東北大金研
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高木 英典
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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本多 由季
東北大金研
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小林 清男
東北大金研
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小林 典男
東北大学金属材料研究所
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佐々木 孝彦
東北大学金属材料研究所
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Takagiwa Hiroyuki
Department Of Physics Aoyama Gakuin University
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佐々木 俊彦
東北大金研
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小林 典男
IMR
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Takagi H
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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Takagi H
Correlated Electron Research Center (cerc) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tec
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川村 稔
理研:jstさきがけ
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廣瀬 峻啓
東工大応セラ研
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付英 双
理研
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高木 英典
東大物性研:京大化研
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Lu D.
スタンフォード大
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Shen Z.-X.
スタンフォード大
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Moore R.
スタンフォード大
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Mo S.
スタンフォード大
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中島 裕司
東工大応セラ研
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片桐 隆雄
東工大応セラ研
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Zhang S.
スタンフォード大
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Chen Y.
スタンフォード大 ALS-LBNL
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Chu J.-H.
スタンフォード大 ALS-LBNL
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Analytis J.
スタンフォード大 ALS-LBNL
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Liu Z.
スタンフォード大 ALS-LBNL
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Kuo H.-H.
スタンフォード大 ALS-LBNL
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Qi X.
スタンフォード大 ALS-LBNL
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Hashimoto M.
スタンフォード大 ALS-LBNL
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Fisher I.
スタンフォード大 ALS-LBNL
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Hussain Z.
スタンフォード大 ALS-LBNL
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Mo S.
スタンフォード大 Als-lbnl
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Shen Z.-x.
スタンフォード大 Als-lbnl
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Lu D.
スタンフォード大 Als-lbnl
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Moore R.
スタンフォード大 Als-lbnl
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並木 宏允
東工大応セラ研
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浅川 瑞生
東工大応セラ研
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高木 英典
東大理
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高木 英典
東大理:Max Planck Institut
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高木 英典
理研:東大理:Max-Planck-Institute
著作論文
- 23aHV-10 Bi_2Se_3系の結晶育成とキャリア濃度制御 : トポロジカル絶縁体から超伝導体まで(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pPSA-64 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の結晶育成とフェルミ準位制御(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXA-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の電子構造(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pXA-11 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3におけるDirac表面状態の磁場中STM/STS(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pXA-10 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の高磁場磁気抵抗,磁気トルク測定(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pXA-9 様々な元素をドープしたトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の単結晶合成と物性評価(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26aHG-12 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の高磁場磁気抵抗,磁気トルク測定II(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHG-6 様々な元素をドープしたトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aHG-12 元素ドープしたトポロジカル絶縁体における超伝導(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTC-5 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の磁場中分光イメージング(24aTC トポロジカル絶縁体(輸送・局在),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-9 様々な元素をドープしたトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(II)(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-8 様々なトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-4 磁性元素をドープした様々なトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDD-3 不純物ポテンシャル近傍におけるトポロジカル表面状態のランダウ準位(モデル計算)(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDD-4 トポロジカル絶縁体のDirac表面状態におけるZeeman効果(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))