加納 学 | 東工大応セラ研
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概要
関連著者
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笹川 崇男
東工大応セラ研
-
加納 学
東工大応セラ研
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高木 英典
理研
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五十嵐 九四郎
東工大応セラ研
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幸坂 祐生
理研
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山本 宗平
東工大応セラ研
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幸坂 祐生
東大院新領域
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浅川 瑞生
東工大応セラ研
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大川 顕次郎
東工大応セラ研
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中野 智志
物材機構
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柏谷 聡
産総研
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柏谷 裕美
産総研
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山田 裕
新潟大理
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大村 彩子
新潟大超域
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中山 敦子
新潟大超域
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石川 文洋
新潟大理
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片桐 隆雄
東工大応セラ研
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廣瀬 峻啓
東工大応セラ研
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田中 真平
東工大応セラ研
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矢野 力三
東工大応セラ研
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大竹 祐輔
東工大応セラ研
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村瀬 正恭
東工大応セラ研
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樋口 雄一郎
新潟大院自然
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高木 英典
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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高木 英典
理化学研究所
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高木 秀典
東大物性研
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藤久 裕司
産総研
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Toyoda Haruhisa
Department Of Material Physics Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Takagi Hidenori
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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Takagiwa Hiroyuki
Department Of Physics Aoyama Gakuin University
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高木 英典
理研:東北大多元研:東大新領域
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Takagi H
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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Takagi Hidenori
Engineering Research Institute Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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Takagi H
Correlated Electron Research Center (cerc) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tec
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Takagi Hidenori
Department Of Advanced Materials Science University Of Tokyo
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大村 彩子
新潟大超域研
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石川 文洋
横浜国立大学工学部
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並木 宏允
東工大応セラ研
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高木 英典
理研:東大院理
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後藤 義人
産総研
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落合 崇幸
新潟大理
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大村 彩子
新潟大院自然研
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高木 英典
東大物性研:京大化研
著作論文
- 24pXA-9 様々な元素をドープしたトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の単結晶合成と物性評価(24pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aPS-136 重元素を含み空間反転非対称な層状化合物における3次元ラシュバ金属の探索(25aPS 領域8ポスターセッション(磁性(f電子系)1),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pTR-9 様々な元素をドープしたトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(II)(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pTC-7 重元素を含み空間反転非対称な層状化合物における3次元ラシュバ金属の探索(II)(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTR-8 様々なトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pTC-8 層状Rashba物質BiTeIの分光イメージング測定(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-4 磁性元素をドープした様々なトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-3 様々なトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(II)(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-9 重元素を含み空間反転非対称な層状化合物における3次元ラシュバ物質の探索(III)(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-10 層状Rashba物質BiTeIの分光イメージング測定(II)(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-8 反転対称性の破れた層状化合物を対象とした3次元のラシュバ物質およびトポロジカル絶縁体の探索(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-2 ホモロガス相を舞台としたトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEA-10 層状Rashba物質BiTeIの分光イメージング測定(III)(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEA-11 三次元Rashba物質及びトポロジカル絶縁体の探索(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEA-6 ホモロガス相を舞台としたトポロジカル絶縁体の合成と電子構造(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPSB-46 ハーフメタル候補物質Co_3Sn_2S_2の単結晶育成と物性評価(21aPSB 領域8ポスターセッション(低温3),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))
- 19aGB-5 空間反転対称性の破れた超伝導体PdBiの単結晶合成と物性評価(19aGB 超伝導物質1(空間反転対称性が破れた超伝導など),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aXX-5 ハーフメタル候補物質Co_3Sn_2S_2の単結晶育成と物性評価(II)(29aXX 遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29aXG-10 Weak Topological Insulator候補物質Bi_2TeIの単結晶作製と評価(29aXG トポロジカル絶縁体・超伝導体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXJ-3 空間反転対称性の破れた超伝導体PdBiの単結晶育成と物性評価(II)(29aXJ 超伝導物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aEB-5 層状Taカルコゲン化合物の単結晶育成と超伝導特性(超電導物質1,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pEB-4 空間反転対称性の破れた超伝導体PdBiの単結晶育成と物性評価(III)(超伝導物質2,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aDD-12 BiTeBrにおける圧力誘起トポロジカル相転移の探索(トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aJA-2 層状極性半導体BiTeIの走査トンネル分光(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-79 極性半導体BiTeIにおける圧力誘起構造相転移(27pPSA 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系))
- 30aCM-7 層状Taカルコゲン化合物の単結晶育成と超伝導特性(II)(30aCM 超伝導物質,領域8(強相関係))