21aHV-3 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2010-03-01

著者

• 吉田 勝治

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  東大工

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 平川 一彦

  東大生研

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 柴田 憲治

  東大ナノ量子機構

• 柴田 憲治

  東大生研

• 大岩 顕

  東大工

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 平川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 金井 康

  東大工

• Deacon R.

  東大工

• 中川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 大岩 顕

  東大工:icorp-jst:jst-crest

• 平川 一彦

  東京大

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研

• 柴田 憲治

  東京大学生産技術研究所

関連論文

• 21pHW-6 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットのスピンに依存したクーロンピークの変化(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXG-9 微小磁石集積量子ドット電子双極子スピン共鳴におけるオーバーハウザー場の緩和測定セットアップ(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aHV-10 零磁場スピン蓄積の超微細相互作用による検出(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-9 並列結合2重量子ドットを含むAharonov-Bohm干渉計における位相緩和(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXG-7 3つの電極と結合した2重量子ドットにおける電子輸送(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-5 ドット間の結合が制御できる直列結合縦型ダブルドットの電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXG-8 微小磁石を用いた電子スピン共鳴におけるスピン緩和(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pTX-13 微小磁石集積型EDSR量子ドットサンプルに見られる核スピンの動的分極効果(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-7 自己形成InAsドットを含む4ゲート縦型構造に形成された多重量子ドットの電気伝導特性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aVE-8 量子ドット電荷検出計と結合した並列結合2重量子ドットにおける量子干渉効果(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-4 並列結合2重量子ドット系における近藤効果(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-12 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-8 並列結合2重ドットにおけるAharonov-Bohm効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXG-5 3スピン量子ビットの実装に向けた横型3重量子ドットの作製と評価(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pHW-7 3重量子ドット系の近藤効果 : 3角形配列の歪の影響II(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXG-11 縦型二重量子ドットにおける電子スピン-核スピン結合ダイナミクス(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXG-10 超微細相互作用を利用した縦型二重量子ドット中の核スピン双方向分極制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aHV-5 半導体2重量子ドットにおける単一円偏光の検出実験(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pWH-8 高周波印加時の並列結合ダブルドットの特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pWH-3 変分法による3重量子ドットの輸送特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-4 3重量子ドットのStability diagram(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-8 縦型二重量子ドットにおける交換エネルギー(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 単一および結合量子ドットの電子状態制御
• 25aZC-7 縦型ダブルドットにおけるトンネル結合及び交換結合の制御(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYB-13 半導体人工原子の磁場中における少数電子スピン状態(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 14pYB-11 横結合縦型量子ドットによる Charge Read Out(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
• 30pTX-9 スピン閉塞状態での過渡現象(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-11 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-15 異なるg因子を持つ縦型二重量子ドットにおける核スピン効果とNMR応答(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-13 互いに異なるg因子を持った二重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pWH-7 縦型量子ドットにおける光生成キャリアの電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aRA-10 Grapheneの磁場中STS観測(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aTA-13 直列二重ドットにおけるコヒーレント伝導(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-12 少数電子並列結合ダブルドットにおける結合及び反結合軌道の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-3 軌道対称性の操作によるD-D,S-Tの近藤効果の変調(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 19aTA-7 縦型2重量子ドットにおける間接励起子の電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXG-8 量子ドット複合系の近藤効果による熱起電力(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aHV-3 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aXG-11 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導特性のサイドゲート制御(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pZC-12 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYB-9 半導体縦型二重量子ドットにおける二重ゲートによる電子状態の制御(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 30pTX-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価とその制御(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-6 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導電流の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
• 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pRA-5 2層グラフェンPN接合における電気伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pYF-10 電荷計による、縦型単一、二重量子ドットの電子数検出(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aWH-9 電子フォーカシングを用いたStern-Gerlach効果の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-5 量子ドット中の単一電子スピン共鳴のためのオンチップマイクロコイル開発(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aXL-9 縦型二重量子ドットにおけるスピン一重項-三重項のミキシング制御(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXC-9 GaAs系量子ドットにおける近赤外光照射下での電気伝導特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aWF-6 二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケードの電気的制御(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-12 量子ドットを用いた単一光子検出を同定するための数値的アルゴリズム(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-10 微小磁石を配置した量子ドット2量子ビットのスワップ演算(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-7 Grapheneの磁場中STM/STS観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pWQ-6 横型3重量子ドットにおける電荷検出信号の定量評価(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 28aVE-7 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットの近藤コンダクタンスの減少(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWH-7 単一量子ドット中の電子占有率ν>2における負性微分抵抗(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-12 スピン軌道相互作用および傾斜磁場を利用した単一量子ドットにおける電子スピン共鳴(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aWF-5 伝播モード可変量子細線中の量子ドットの電気伝導(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pWH-5 電荷検出器を備えた横型量子ドットにおける微弱光応答実験(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTH-8 量子ポイントコンタクトによる光励起電荷検出の安定性(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pVE-14 GaAs系量子ドットと量子ポイントコンタクトを用いた磁場下での単一光子検出(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pXJ-3 結合量子細線における整流ドラッグ効果(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-1 非断熱状態変化を用いた量子干渉計(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aWQ-9 InAs量子ドットジョセフソン接合におけるスピン一重項・三重項近藤効果における電気伝導(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-11 磁場を自己補償できる微小磁石型量子ドットEDSRサンプルの開発と実践(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-9 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 21aTA-10 オフセット可変2重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pRC-2 並列2重ドットにおける擬スピン近藤効果に対する結合パラメータの効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30aXB-1 並列結合2重ドット系における電子輸送(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-4 縦横型量子ドットの幾何学的効果と準安定状態(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aVE-5 飛行電荷量子ビットを用いたABリングにおける位相シフト観測(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-3 量子細線-ABリング結合系における2電子干渉効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTH-9 量子ドットにおける多準位伝導と電流雑音相関(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pYC-5 非対称結合量子細線における負のクーロンドラッグ(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 12pYC-5 量子細線-量子ドット結合系における負のクーロンドラッグ(量子細線, 領域 4)
• 平成16年度第50回仁科記念賞; 蔡 兆申氏(学界ニュース)
• 27aXB-7 表面2次元電子系に対する磁場中STM/STS観測(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aPS-7 ABリングに埋め込まれた量子ドット系の熱電特性(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-2 不均一磁場を利用した2スピンキュービットとスピンエンタングル状態(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-3 高速スピン回転操作のための大きな磁場差をもつ二重量子ドットデバイス(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHD-10 自己形成InAs量子ドットにおけるg-テンソルの電気的制御(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク