固体量子情報の長距離移送と量子電子光学実験への挑戦
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
アハロノフ・ホーム効果を始めとする量子干渉効果が確認されるようになって以来,伝播する電子の波としての性質を利用した量子デバイスの開発は,長年にわたって固体物理の代表的な話題として世界中で研究が進められてきた.しかし,固体電子系の量子干渉効果に多経路干渉や電子間相互作用などの寄与が複雑な形で現れることが明らかになるにつれ,伝播する電子が個々に保持する量子力学的な情報を伝送したり制御したりすることは困難な課題と認識されるようになった.本稿では,これらの課題を克服して伝播する電子の持つ量子情報を伝送・制御する新しい技術や,それを用いて単一電子単位で量子光学的な実験を行う「量子電子光学実験」について解説する.
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2013-05-05
著者
-
樽茶 清悟
東大物理工
-
樽茶 清悟
Ntt物基礎研:東大
-
Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
-
樽茶 清吾
日本電信電話公社武蔵野通研
-
Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科
-
高田 真太郎
東京大学大学院工学系研究科
-
山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科
-
樽茶 清悟
NTT電気通信研究所
-
樽茶 清悟
NTT物性基礎研:東大理:ERATO Mesoscopic Correlation Project
関連論文
- 21pHW-6 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットのスピンに依存したクーロンピークの変化(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-9 微小磁石集積量子ドット電子双極子スピン共鳴におけるオーバーハウザー場の緩和測定セットアップ(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-10 零磁場スピン蓄積の超微細相互作用による検出(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-9 並列結合2重量子ドットを含むAharonov-Bohm干渉計における位相緩和(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXG-7 3つの電極と結合した2重量子ドットにおける電子輸送(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXG-5 ドット間の結合が制御できる直列結合縦型ダブルドットの電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-8 微小磁石を用いた電子スピン共鳴におけるスピン緩和(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-13 微小磁石集積型EDSR量子ドットサンプルに見られる核スピンの動的分極効果(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-7 自己形成InAsドットを含む4ゲート縦型構造に形成された多重量子ドットの電気伝導特性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aVE-8 量子ドット電荷検出計と結合した並列結合2重量子ドットにおける量子干渉効果(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-4 並列結合2重量子ドット系における近藤効果(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-12 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-8 並列結合2重ドットにおけるAharonov-Bohm効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-5 3スピン量子ビットの実装に向けた横型3重量子ドットの作製と評価(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pHW-7 3重量子ドット系の近藤効果 : 3角形配列の歪の影響II(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-11 縦型二重量子ドットにおける電子スピン-核スピン結合ダイナミクス(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-10 超微細相互作用を利用した縦型二重量子ドット中の核スピン双方向分極制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-5 半導体2重量子ドットにおける単一円偏光の検出実験(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-9 スピン閉塞状態での過渡現象(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-11 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-15 異なるg因子を持つ縦型二重量子ドットにおける核スピン効果とNMR応答(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-13 互いに異なるg因子を持った二重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-7 縦型量子ドットにおける光生成キャリアの電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-3 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-11 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導特性のサイドゲート制御(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価とその制御(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-6 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導電流の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pRA-5 2層グラフェンPN接合における電気伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYF-10 電荷計による、縦型単一、二重量子ドットの電子数検出(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aWH-9 電子フォーカシングを用いたStern-Gerlach効果の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWQ-12 量子ドットを用いた単一光子検出を同定するための数値的アルゴリズム(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-10 微小磁石を配置した量子ドット2量子ビットのスワップ演算(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-7 Grapheneの磁場中STM/STS観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWQ-6 横型3重量子ドットにおける電荷検出信号の定量評価(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aVE-7 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットの近藤コンダクタンスの減少(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWH-7 単一量子ドット中の電子占有率ν>2における負性微分抵抗(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pWH-5 電荷検出器を備えた横型量子ドットにおける微弱光応答実験(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pVE-14 GaAs系量子ドットと量子ポイントコンタクトを用いた磁場下での単一光子検出(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-1 非断熱状態変化を用いた量子干渉計(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-9 InAs量子ドットジョセフソン接合におけるスピン一重項・三重項近藤効果における電気伝導(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-11 磁場を自己補償できる微小磁石型量子ドットEDSRサンプルの開発と実践(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pWQ-9 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pYT-3 電子相関による量子ドットのスピンブロッケード(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 極微細構造半導体の電子輸送
- 量子波素子 (技術革新を担う材料技術-下-)
- 異方的量子ドットにおけるAddition Spectra
- 29p-M-11 非鳴形単電子トランジスタの量子効果と負性微分抵抗
- 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
- 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
- 半導体人工分子 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (5.量子ドット)
- 半導体ナノ構造の量子輸送 : 最近の研究動向
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 量子ホール領域におけるスピン分離
- 量子ホール領域におけるスピン分離
- 伝導でみた半導体人工原子のフント則
- H. Mizuta and T. Tanoue, The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes, Combridge Univ. Press, Cambridge, 1995, xii+236p., 23×15cm, 8,750円 [大学院生・専門向]
- 3p-YE-3 微小縦形トンネルトランジスタの単電子トンネル効果
- 29p-J-4 半導体微細構造の量子輸送
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pHD-5 軌道縮退アンダーソン模型の電荷搖動の完全係数統計への影響(28pHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aHD-2 不均一磁場を利用した2スピンキュービットとスピンエンタングル状態(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTA-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aHD-3 高速スピン回転操作のための大きな磁場差をもつ二重量子ドットデバイス(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHD-10 自己形成InAs量子ドットにおけるg-テンソルの電気的制御(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHD-5 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-9 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象と核スピン効果(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 表面弾性波を用いた単一電子移送 : 飛行電子の量子光学実験に向けて
- 27pCE-3 表面弾性波を用いた離れた量子ドット間の単一電子移送(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pBJ-7 Hund則を有する量子ドット系の近藤効果による低バイアス非平衡電流II(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pSB-3 グラフェンに対する歪み印加方法の検討と歪み効果の解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 量子ドットを使った単一光生成電子の制御とスピン検出
- 24pBJ-6 結合量子細線・ABリング複合系を用いた量子ドットにおける電子の伝達位相の測定(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-New direction in device physics,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aEC-10 グラフェンにおける一様な一軸性歪みの導入方法とその移動度に関する影響(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aFB-8 電子ポンプによる非平衡単一電子輸送(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 固体量子情報の長距離移送と量子電子光学実験への挑戦
- 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXQ-2 並列二重量子ドットジョセフソン接合における非局所トンネル過程の検出(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXG-3 表面弾性波による単一電子輸送(27pXG 領域4,領域3,領域5,領域7,領域10合同シンポジウム:フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開Novel phononic electronics in solid state devices,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXQ-7 スピンブロッケイドの電流閉塞状態の遷移と電流の2値的振る舞い(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXP-3 一軸性歪みを導入した一層グラフェンの電気伝導の研究(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXQ-7 g-因子制御GaAs系量子井戸に作成した横型量子ドットにおける単一光子応答(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-8 多電子領域における量子ドットの伝達位相測定(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aDD-4 表面弾性波を用いた単一電子のコヒーレント制御(量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))