H. Mizuta and T. Tanoue, The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes, Combridge Univ. Press, Cambridge, 1995, xii+236p., 23×15cm, 8,750円 [大学院生・専門向]

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1996-06-05

著者

• 樽茶 清悟

  Ntt物基礎研:東大

• 樽茶 清悟

  NTT基礎研

関連論文

• 25pK-1 縦型半導体量子ドットにおける近藤効果
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
• 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
• 29p-M-13 2重障壁共鳴トンネルダイオードにおける非平衡電流雑音特性
• 1p-Q-1 半導体人工分子の量子結合と電子構造
• 2p-Q-6 朝永ラッティンジャー液体におけるブラッグ反射
• 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
• 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
• 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
• 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
• 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 12p-DF-4 小数の電子を含む量子ドットの単電子トンネル
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
• 極微細構造半導体の電子輸送
• 量子波素子 (技術革新を担う材料技術-下-)
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 26a-ZB-12 高移動度二次元電子ガスにおけるバリスティック伝導
• 1次元共鳴トンネルダイオードにおけるmagnetotunneling
• 異方的量子ドットにおけるAddition Spectra
• メゾスコピック電子衝突における量子干渉効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 29p-M-11 非鳴形単電子トランジスタの量子効果と負性微分抵抗
• 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
• 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
• 半導体人工分子 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (5.量子ドット)
• 半導体ナノ構造の量子輸送 : 最近の研究動向
• 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
• 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
• 量子ホール領域におけるスピン分離
• 量子ホール領域におけるスピン分離
• 伝導でみた半導体人工原子のフント則
• H. Mizuta and T. Tanoue, The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes, Combridge Univ. Press, Cambridge, 1995, xii+236p., 23×15cm, 8,750円 [大学院生・専門向]
• 3p-YE-3 微小縦形トンネルトランジスタの単電子トンネル効果
• 29p-J-4 半導体微細構造の量子輸送
• 28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
• 28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
• 表面弾性波を用いた単一電子移送 : 飛行電子の量子光学実験に向けて
• 27pCE-3 表面弾性波を用いた離れた量子ドット間の単一電子移送(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-7 Hund則を有する量子ドット系の近藤効果による低バイアス非平衡電流II(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pSB-3 グラフェンに対する歪み印加方法の検討と歪み効果の解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 量子ドットを使った単一光生成電子の制御とスピン検出
• 24pBJ-6 結合量子細線・ABリング複合系を用いた量子ドットにおける電子の伝達位相の測定(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-New direction in device physics,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aEC-10 グラフェンにおける一様な一軸性歪みの導入方法とその移動度に関する影響(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aFB-8 電子ポンプによる非平衡単一電子輸送(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 固体量子情報の長距離移送と量子電子光学実験への挑戦
• 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXQ-2 並列二重量子ドットジョセフソン接合における非局所トンネル過程の検出(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXG-3 表面弾性波による単一電子輸送(27pXG 領域4,領域3,領域5,領域7,領域10合同シンポジウム:フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開Novel phononic electronics in solid state devices,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXQ-7 スピンブロッケイドの電流閉塞状態の遷移と電流の2値的振る舞い(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXP-3 一軸性歪みを導入した一層グラフェンの電気伝導の研究(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXQ-7 g-因子制御GaAs系量子井戸に作成した横型量子ドットにおける単一光子応答(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXQ-8 多電子領域における量子ドットの伝達位相測定(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aDD-4 表面弾性波を用いた単一電子のコヒーレント制御(量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 3p-YH-5 少数電子を含むドットの量子効果と電子間相互作用(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
• 29a-FC-3 GaAs-AlGaAs超格子の価電子帯構造(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31a-YA-6 細線におけるノンユニバーサルな弾道伝導(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク