29a-FC-3 GaAs-AlGaAs超格子の価電子帯構造(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1986-03-29

著者

• 三浦 登

  物性研

• 安藤 恒也

  物性研

• 岩佐 義宏

  物性研

• 樽茶 清悟

  NTT基礎研

• 岡本 紘

  NTT基礎研

関連論文

• 2a-G-3 (ET)_2XHg(SCN)_4の高磁場磁気抵抗 II
• 超強磁場における低次元磁性体の磁気共鳴
• 25pYQ-6 PbNi_2V_2O_8のハルデン相とNiサイト置換誘起反強磁性相
• 3p-F-14 2次元電子Landau準位のbroadening : Self-consistent screenig
• 3a-A-14 2次元電子Landau準位のbroadening : Self-consistent screening
• 1p-KH-9 2次元電子LANDAU準位のbroadening-Screened Coulomb力の自己無とう着な解-
• 30p-M-1 パルス強磁場下のNbSe_3の磁気抵抗
• 28a-B-11 強磁場中におけるCu_2O励起子の反磁性シフト
• 28a-E-1 強磁場におけるCu_2O励起子の吸収スペクトル
• 1a-Q-5 NdFe_2-B系の磁化特性-IV 磁化曲線
• 25pK-1 縦型半導体量子ドットにおける近藤効果
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 8a-N-12 CdTe/CdMgTe整数分数量子ホール領域での磁気発光振動
• 8a-N-12 CdTe/CdMgTe整数分数量子ホール領域での磁気発光振動
• 4a-C3-6 ホットウォール法によるBil_3薄膜単結晶作成
• 4a-C3-3 PbI_2における励起子ポラリトンの磁場効果
• 1p-F-9 超強磁場中PbI_2の励起子スペクトル
• 27a-Z-9 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の強磁場磁気相図
• 3a-K-6 擬1次元導体(TMTSF)_2X磁気抵抗の角度依存性に於ける微細構造 I
• 3a-A-3 2H-MX_2の電気伝導III
• 30p-Q-10 CdTe/Cd_Mg_xTe整数/分数量子ホール領域での発光スペクトル
• 30p-Q-10 CdTe/Cd_Mg_xTe整数/分数量子ホール領域での発光スペクトル
• 4p-D-7 (ET)_2KHg(SCN)_4の高磁場磁気抵抗
• 3p-M-10 (BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4のシュブニコフ・ドハース効果
• 3p-A-20 InGaAs/InP系材料のパルス磁場下における横磁気フォノン共鳴
• 28a-E-17 強磁場下に於けるBiI_3結晶の磁気光効果II : 直接励起子
• 3a-F-10 強磁場におけるHg_ Cd_xM_Teの磁気光反射
• 27p-C-5 半磁性半導体CdMnTeの強磁場誘起発光
• 5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
• 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
• 29p-M-13 2重障壁共鳴トンネルダイオードにおける非平衡電流雑音特性
• 28a-HE-12 低温強磁場下のグラファイト、ビスマスの磁気抵抗と相転移
• 30a-N-4 グラファイトの強磁場下における誘電異常
• 3a-A-12 パルス強磁場下におけるグラファイトの磁気光学効果 II
• 3a-A-11 低温強磁場に於けるグラファイトの電子相転移
• 3a-A-10 量子極限における半金属のキャリア数測定 : Biおよびグラファイトの磁歪
• 2p-F-3 Hg_Cd_xMn_yTe2次元電子超強磁場サイクロトロン共鳴異常
• Hg_Cd_xMn_yTe2次元電子ガスの超強磁場サイクロトロン共鳴
• 28a-X-1 Hg_Cd_xMn_yTe2次元電子ガスの超強磁場サイクロトロン共鳴
• 1p-Q-1 半導体人工分子の量子結合と電子構造
• 2p-Q-6 朝永ラッティンジャー液体におけるブラッグ反射
• 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
• 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
• 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
• 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
• 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 12p-DF-4 小数の電子を含む量子ドットの単電子トンネル
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
• 28a-E-18 強磁場下に於けるBiI_3結晶の磁気光効果III : 間接励起子
• 3a-F-15 量子井戸中の2次元ホールのサイクロトロン共鳴
• 2p-A-10 SiMOSの強磁場高周波伝導
• 6p-A2-10 超格子におけるフォノンの連続体モデル
• 27a-N-3 半導体超格子におけるフォノンII
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 26a-ZB-12 高移動度二次元電子ガスにおけるバリスティック伝導
• 1次元共鳴トンネルダイオードにおけるmagnetotunneling
• 6a-A2-18 黒リンの強磁場下サイクロトロン共鳴II
• 29a-G-1 黒リンの強磁場下サイクロトロン共鳴
• 28a-E-19 強磁場下に於けるBiI_3の励起子の磁気光効果 IV : 積層欠陥励起子
• 強磁場下におけるBiI_3の二次元および擬二次元励起子の磁気光効果(I 昭和63年度研究会報告,超強磁場による電子制御の研究,科研費研究会報告)
• 1p-N-8 ホットウォール法によるPbI_2/BiI_3層状超格子のパルス強磁場下磁気光効果 II
• 3p-B-3 ホットウォール法によるPbI_2/BiI_3層状超格子の励起子発光スペクトル
• 3a-B-15 ホットウォール法によるPbI_2/BiI_3層状超格子のパルス強磁場下磁気光効果
• 28p-F-10 CdTe-Cd_Mn_Te 多重量子井戸磁気光物性
• 28a-B-3 強磁場下に於けるBiI_3結晶の励起子の磁気光効果VI
• 28a-ZH-11 量子井戸における電子移動度
• 24p-M-6 超格子における電子-フォノン相互作用
• 2a-D-7 GaAs/AlAs超格子における電子-フォノン相互作用
• 3a-C-16 量子井戸細線超格子の電子状態
• 5p-C-5 2重障壁ダイオードの平行強磁場下におけるトンネル効果
• 4a-C3-7 ホットウォール法によるBil_3薄膜単結晶の光学的性質
• 4p-A2-6 η-Mo_4O_の電流磁気効果
• 27a-N-1 High Field Magneto-Spectroscopy on GaAs/GaAlAs Heterostructure
• 4a-WB-12 パルス強磁場中のn-Si,n-Geの磁気フォノン共鳴
• 1p-PS-34 EuSeのT_N近傍における光学的性質
• 5a-LT-11 超強磁場における層状半導体の励起子吸収スペクトル
• 2p-B2-10 強磁場下に於けるBiI_3結晶の励起子の磁気光効果VIIIまとめ1 : 母体励起子(イオン結晶・光物性)
• 2p-B2-6 PbI_2の強磁場下励起子スペクトル III(イオン結晶・光物性)
• 27p-LM-3 強磁場中におけるCu_2O励起子の吸収スペクトル(イオン結晶・光物性)
• 28p-LD-1 半導体ヘテロ界面における電子の波動関数の接続条件(半導体)
• 1p-M1-11 磁性流体磁気光学効果のパルス磁場に対する応答II(磁性(薄膜・微粒子))
• 31a-L2-8 強磁場下におけるη一Mo_4O_11の輸送現象(半導体,(A:擬一次元物質,層状物質,ダイカルコゲナイド))
• 28p-LD-9 半導体超格子におけるフォノン(半導体)
• 1p-PS-83 高周波非接触法によるYBa_2CuOxのHc_2の測定(低温(酸化物超伝導体))
• 27a-LM-9 強磁場下に於けるBiI_3励起子の磁気光効果V(イオン結晶・光物性)
• 29a-BH-12 強磁場下に於けるBiI_3結晶の励起子の磁気光効果(29a BH イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン))
• 1a-L1-8 ヘテロ界面での長波長フォノンモードの接続規則(半導体,(表面・界面・超格子))
• 2p-F-3 Hg_Cd_xMn_yTe_2次元電子超強磁場サイクロトロン共鳴異常(2pF 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,アンダーソン局在),低温)
• 1a-D2-7 強磁場におけるP型変調ドープGaAs-AlGaAs超格子のサイクロトロン共鳴(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
• 29a-FC-3 GaAs-AlGaAs超格子の価電子帯構造(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 2p-B2-11 強磁場下に於けるBiI_3結晶の励起子の磁気光効果VIIIまとめ2 : 積層不整効果(イオン結晶・光物性)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク