31a-YA-6 細線におけるノンユニバーサルな弾道伝導(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1996-03-15

著者

• 都倉 康弘

  Ntt基礎研

• 樽茶 清悟

  NTT基礎研

• 都倉 康弘

  NTT基礎研究所

• 樽茶 清悟

  NTT基礎研究所

関連論文

• 3p-F-1 零磁場下の2DEG細線の電子状態
• 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
• 25pK-1 縦型半導体量子ドットにおける近藤効果
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 30p-X-4 サイクロトロン共鳴磁場での遠赤外光伝導
• 3p-B1-2 GaAs表面原子ステップを利用した超格子
• 5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
• 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
• 29p-M-13 2重障壁共鳴トンネルダイオードにおける非平衡電流雑音特性
• 24p-M-17 変調ドープ分数原子層超格子構造における磁気的トンネリング効果
• 28a-F-6 周期ポテンシャル下の二次元電子ガスの強磁場伝導
• 28aYS-7 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線における磁気ミニバンドとコンダクタンス振動
• 25pK-2 縦型2重量子ドットにおけるドット間トンネルのスピンブロッケード
• 24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
• 26pD-5 磁場中の人工原子におけるクーロン直接項と交換項 : フント第一則との関係
• 26aD-9 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線のコンダクタンス特性
• 31p-A-2 弱結合縦型二重ドットの電気伝導
• 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
• 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
• 27p-YG-8 縦型2重ドットにおけるトンネル電流の抑制
• 27p-YG-7 弱結合2重量子ドットのトンネルにおける選択則
• 1p-Q-1 半導体人工分子の量子結合と電子構造
• 2p-Q-6 朝永ラッティンジャー液体におけるブラッグ反射
• 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
• 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
• 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
• 30p-X-14 異方的な散乱による輸送
• 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
• 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 12p-DF-4 小数の電子を含む量子ドットの単電子トンネル
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 27a-P-9 バリスティックウインドウにより結合した並列細線における干渉効果
• 26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
• 26a-ZB-10 磁場、非対称構造における量子ポイントコンタクトの伝導特性
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 26a-ZB-12 高移動度二次元電子ガスにおけるバリスティック伝導
• 1次元共鳴トンネルダイオードにおけるmagnetotunneling
• 異方的量子ドットにおけるAddition Spectra
• メゾスコピック電子衝突における量子干渉効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 29p-M-11 非鳴形単電子トランジスタの量子効果と負性微分抵抗
• 半導体ナノ構造の量子輸送 : 最近の研究動向
• 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
• 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
• 量子ホール領域におけるスピン分離
• 量子ホール領域におけるスピン分離
• 伝導でみた半導体人工原子のフント則
• H. Mizuta and T. Tanoue, The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes, Combridge Univ. Press, Cambridge, 1995, xii+236p., 23×15cm, 8,750円 [大学院生・専門向]
• 3p-YE-3 微小縦形トンネルトランジスタの単電子トンネル効果
• 29p-J-4 半導体微細構造の量子輸送
• 28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
• 28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
• 21aTL-5 InGaAs量子ポイントコンタクトを用いたRashbaスピン軌道相互作用による電気的スピン生成(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 3p-YH-5 少数電子を含むドットの量子効果と電子間相互作用(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
• 29a-FC-3 GaAs-AlGaAs超格子の価電子帯構造(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31a-YA-6 細線におけるノンユニバーサルな弾道伝導(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク