大野 英男 | 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

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概要

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• 東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンターの論文著者

関連著者

• 大野 英男

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 大野 英男

  東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 大野 英男

  東北大通研

• 大野 裕三

  東北大通研

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 久保 敏弘

  Icorp

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 寺岡 総一郎

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  東大工

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文〓

  東北大学電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設

• 都倉 康弘

  Icorp:ntt物性基礎研

• 遠藤 哲郎

  東北大学 学際科学国際高等研究センター

• 都倉 康弘

  Ntt物性科学基礎研究所

• 三浦 貞彦

  日本電気株式会社

• 大野 英男

  東北大学

• 本庄 弘明

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 久保 敏弘

  ICORP-JST

• 都倉 康弘

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  ICORP-JST

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所

• 山ノ内 路彦

  (株)日立製作所基礎研究所

• 千葉 大地

  科学技術振興機構erato

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 遠藤 哲郎

  東北大学大学院工学研究:東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 深見 俊輔

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 崎村 昇

  日本電気株式会社

• 杉林 直彦

  日本電気株式会社

• 根橋 竜介

  日本電気株式会社

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所

• 羽生 貴弘

  東北大学

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 遠藤 哲郎

  東北大学

• 辻 幸秀

  日本電気株式会社

• 深見 俊輔

  東北大学

• 笠井 直記

  東北大学

• 羽生 貴弘

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学大学院工学研究科

• 小池 洋紀

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 大澤 隆

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 笠井 直記

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 池田 正二

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 羽生 貴弘

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社

• 寺岡 総一郎

  Quantum Information Project, ICORP-JST

• 天羽 真一

  Quantum Information Project, ICORP-JST

• 羽田野 剛司

  Quantum Information Project, ICORP-JST

• 久保 敏弘

  Quantum Information Project, ICORP-JST

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 鈴木 哲広

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 根橋 竜介

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 本庄 弘明

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 三浦 貞彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 杉林 直彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 小池 洋紀

  福岡県産業科学技術振興財団

• 斉藤 信作

  日本電気(株)

• 木下 啓藏

  日本電気(株)

• 斎藤 信作

  Nec

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 機能デバイス研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 松倉 文礼

  東北大通研

• 鈴木 大輔

  東北大学電気通信研究所

• 早川 純

  日立製作所基礎研究所

• 北 智洋

  科学技術振興機構ERATO

• 山ノ内 路彦

  東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 松倉 文〓

  東北大学電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設

• 夏井 雅典

  東北大学電気通信研究所

• 早川 純

  日立製作所 基礎研究所

• 長谷川 晴弘

  日立製作所基礎研究所

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 森岡 あゆ香

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 近藤 裕佑

  東北大通研

• 小野 真証

  東北大通研

• 眞田 治樹

  東北大通研

• 松坂 俊一郎

  東北大通研

• 森田 健

  科学技術振興機構

• 山ノ内 路彦

  東北大通研

• 山ノ内 路彦

  科学技術振興機構ERATO

• 松倉 文[ヒロ]

  東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設

• 三浦 勝哉

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設:日立製作所基礎研究所

• 森田 健

  科学技術振興機構:東北大通研

• 眞田 治樹

  NTT物性基礎研

• 石綿 延行

  日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所

• 夏井 雅典

  東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設

• 松坂 俊一郎

  東北大通研:科学技術振興機構

• 木下 啓蔵

  東北大学

• 齊藤 信作

  日本電気株式会社

• 辻 幸秀

  NECグリーンイノベーション研究所

• 石綿 延行

  日本電気株式会社

• 羽生 貴弘

  東北大学電気通信研究所ブレインウェア実験施設

• 松永 翔雲

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科

• 鈴木 哲広

  ルネサスエレクトロニクス

• 深見 俊輔

  NECA:東北大

• 木下 啓藏

  東北大学

• 森岡 あゆ香

  日本電気株式会社

• 遠藤 哲郎

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 木下 啓蔵

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 池田 正二

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所

• 大野 英男

  東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター:東北大学電気通信研究所

• 久保 敏弘

  学習院大理

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著作論文

• 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
• 依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
• 29pTX-6 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 2008年固体素子と材料に関する国際会議(SSDM 2008)報告
• 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
• 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
• 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
• 半導体スピントロニクス : 強磁性半導体を中心として
• 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
• 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
• 4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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