遠藤 哲郎 | 東北大学
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概要
関連著者
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遠藤 哲郎
東北大学
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深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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崎村 昇
日本電気株式会社
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杉林 直彦
日本電気株式会社
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根橋 竜介
日本電気株式会社
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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羽生 貴弘
東北大学
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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辻 幸秀
日本電気株式会社
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深見 俊輔
東北大学
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三浦 貞彦
日本電気株式会社
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笠井 直記
東北大学
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大野 英男
東北大学
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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成田 克
山形大学工学部
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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根橋 竜介
NECデバイスプラットフォーム研究所
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本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
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三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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川澄 篤
株式会社東芝
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川澄 篤
東芝セミコンダクター社
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徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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斉藤 信作
日本電気(株)
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木下 啓藏
日本電気(株)
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大泊 巌
早稲田大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学際セ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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斎藤 信作
Nec
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石綿 延行
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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品田 賢宏
早稲田大学工学部
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遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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成田 克
九州工業大学工学部
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今野 篤史
東北大学
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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小野 行徳
Ntt Lsi研究所
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半澤 悟
株式会社日立製作所 中央研究所
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末光 眞希
東北大学
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谷井 孝至
早大・理工・電生
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大泊 巌
早大理工
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大泊 巌
早稲田大学理工学術院
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
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谷井 孝至
早稲田大学理工学術院
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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大泊 巌
Faculty Of Science And Engineering Waseda University
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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伊藤 隆
東北大学大学院工学研究科
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大泊 巌
早大
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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大泊 巌
早稲田大学
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大泊 巌
早大・理工
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堀 匡寛
早稲田大学
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平 圭吾
早稲田大学
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小松原 彰
早稲田大学
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谷井 孝至
早稲田大学
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品田 賢宏
早稲田大学
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三輪 達
サンディスク株式会社
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小野 行徳
Ntt
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伊藤 隆
東北大学・学際科学国際高等研究センター
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堀 匡寛
早稲田大学理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学
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成田 克
山形大学
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木下 啓蔵
東北大学
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齊藤 信作
日本電気株式会社
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辻 幸秀
NECグリーンイノベーション研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社
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加藤 佳一
パナソニック株式会社デバイス・システム開発センター
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梶谷 一彦
エルピーダ
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鈴木 哲広
ルネサスエレクトロニクス
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深見 俊輔
NECA:東北大
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木下 啓藏
東北大学
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森岡 あゆ香
日本電気株式会社
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梶谷 一彦
エルピーダメモリ株式会社
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半澤 悟
株式会社日立製作所
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徳留 圭一
日本電気株式会社
著作論文
- Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用
- 単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価
- 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)