今野 篤史 | 東北大学
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概要
関連著者
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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今野 篤史
東北大学
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成田 克
山形大学工学部
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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寺岡 有殿
原研
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山本 喜久
スタンフォード大学ギンズトン研究所
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山本 喜久
東北大学電気通信研究所
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富樫 秀晃
東北大学電気通信研究所
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加藤 篤
東北大学電気通信研究所
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吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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末光 眞希
東北大通研
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吉越 章隆
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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山本 喜久
NTT電気通信研究所
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山本 喜久
国立情報学研究所:スタンフォード大学
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山本 喜久
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所:スタンフォード大学 ギンツトン研究所
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山本 喜久
スタンフォード大:nii
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山本 喜久
スタンフォード大学 国際共同研究量子もつれプロジェクト
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山本 喜久
E.l. Ginzton Laboratory Stanford University
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山本 喜久
国立情報学研究所情報学プリンシプル研究系
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山本 喜久
国立情報学研究所:スタンフォード大学:東京大学
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
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山本 喜久
国立情報学研究所量子情報国際研究センター:スタンフォード大学ギンツトン研究所
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寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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成田 克
山形大学
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吉越 章隆
日本原子力研究所
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寺岡 有殿
日本原子力研究所
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齋藤 英司
東北大学電気通信研究所
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松本 光正
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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伊藤 隆
東北大学際セ
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遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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成田 克
九州工業大学工学部
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末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
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今野 篤史
東北大学電気通信研究所
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加藤 篤
東北大学学際科学国際高等研究センター
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富樫 秀晃
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
今野 篤史
東北大学学際科学国際高等研究センター
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山本 喜久
東北大学学際科学国際高等研究センター
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成田 克
九州工科大学
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半田 浩之
東北大学電気通信研究所
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宮本 優
東北大学電気通信研究所
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山本 喜久
NTT基礎研
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末光 眞希
東北大学
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末光 眞希
CREST
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伊藤 隆
東北大学大学院工学研究科
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遠藤 哲郎
東北大学
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伊藤 隆
東北大学・学際科学国際高等研究センター
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中澤 日出樹
弘前大学
著作論文
- Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- グラフェン形成のためのSi(110)基板上3C-SiC(111)成長