宮本 優 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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半田 浩之
東北大学電気通信研究所
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宮本 優
東北大学電気通信研究所
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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末光 眞希
東北大通研
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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佐野 栄一
北海道大学大学院情報科学研究科
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齋藤 英司
東北大学電気通信研究所
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
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吹留 博一
東北大学電気通信研究所
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所:jst-crest
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尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
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唐澤 宏美
東北大学電気通信研究所
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末光 哲也
東北大学電気通信研究所
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リズィー マキシム
会津大学コンピュータ理工学部
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Ryzhii Maxim
会津大 コンピュータ理工
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ルリズィー ヴィクトー
会津大学コンピュータ理工学部
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Ryzhii Victor
会津大 コンピュータ理工
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尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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リズィー ヴィクトール
会津大学コンピュータ物性学講座
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姜 顯〓
東北大学電気通信研究所
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リズィー マキシム
会津大学コンピュータ物性学講座
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Ryzhii Victor
会津大学コンピュータ理工学研究科:jst-crest
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佐野 栄一
Jst‐crest
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尾辻 康一
九州工大
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Kang Hyon‐choru
東北大電気通信研究所
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佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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リズィー ヴィクトール
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:jst-crest
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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今野 篤史
東北大学
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末光 眞希
CREST
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尾辻 泰一
東北大 電通研
著作論文
- Si(111),(110),(100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成 (第29回表面科学学術講演会特集号(1))
- Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術(TFT(有機,酸化物),一般)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- グラフェン形成のためのSi(110)基板上3C-SiC(111)成長
- Si(111), (110), (100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成