吹留 博一 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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吹留 博一
東北大学電気通信研究所
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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末光 眞希
東北大通研
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半田 浩之
東北大学電気通信研究所
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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齋藤 英司
東北大学電気通信研究所
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宮本 優
東北大学電気通信研究所
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川合 祐輔
東北大学大学院工学研究科
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小嗣 真人
JASRI SPring-8
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小嗣 真人
高輝度光科学研究センター
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所:jst-crest
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尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
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末光 哲也
東北大学電気通信研究所
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尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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姜 顯〓
東北大学電気通信研究所
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尾辻 泰一
東北大学 電気通信研究所
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小嗣 真人
広島大学放射光科学研究センター
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尾辻 泰一
東北大電気通信研究所
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久保 真人
東北大学電気通信研究所
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尾辻 泰一
東北大 電通研
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高橋 良太
東北大電気通信研究所
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末光 哲也
東北大電気通信研究所
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久保 真人
東北大電気通信研究所
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末光 眞希
東北大電気通信研究所
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半田 浩之
東北大電気通信研究所
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姜 顯〓
東北大電気通信研究所
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福嶋 哲也
東北大電気通信研究所
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鷹林 将
東北大電気通信研究所
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吹留 博一
東北大電気通信研究所
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尾辻 康一
九州工大
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Kang Hyon‐choru
東北大電気通信研究所
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舩窪 一智
東北大学電気通信研究所
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猪俣 州哉
東北大学電気通信研究所
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佐藤 良
東北大学電気通信研究所
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朴 君昊
東北大学電気通信研究所
著作論文
- Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術(TFT(有機,酸化物),一般)
- Si(111), (110), (100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成
- C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御 (電子デバイス)
- 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御(TFT(有機,酸化物),一般)
- 基板相互作用を援用したグラフェンのナノ構造・物性制御
- Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御