末光 哲也 | 東北大学電気通信研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
末光 哲也
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所:jst-crest
-
尾辻 康一
九州工大
-
尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 泰一
東北大 電通研
-
吉田 智洋
東北大学電気通信研究所
-
小林 健悟
東北大学電気通信研究所
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
末光 眞希
東北大通研
-
堀池 恒平
東北大学電気通信研究所
-
半田 浩之
東北大学電気通信研究所
-
姜 顯〓
東北大学電気通信研究所
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
-
福田 俊介
東北大学
-
尾辻 泰一
東北大学 電気通信研究所
-
鷹林 将
東北大電気通信研究所
-
Kang Hyon‐choru
東北大電気通信研究所
-
末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小川 修一
東北大学多元物質科学研究所
-
高桑 雄二
東北大学多元物質科学研究所
-
小川 修一
東北大学 多元物質科学研究所
-
高桑 雄二
東北大学 多元物質科学研究所
-
宮本 優
東北大学電気通信研究所
-
唐澤 宏美
東北大学電気通信研究所
-
小森 常義
東北大学電気通信研究所
-
リズィー マキシム
会津大学コンピュータ理工学部
-
Ryzhii Maxim
会津大 コンピュータ理工
-
ルリズィー ヴィクトー
会津大学コンピュータ理工学部
-
Ryzhii Victor
会津大 コンピュータ理工
-
リズィー ヴィクトール
会津大学コンピュータ物性学講座
-
リズィー マキシム
会津大学コンピュータ物性学講座
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
福田 俊介
東北大学電気通信研究所
-
赤川 啓介
東北大学電気通信研究所
-
Ryzhii Victor
会津大学コンピュータ理工学研究科:jst-crest
-
佐野 栄一
Jst‐crest
-
松岡 隆志
東北大学金属材料研究所
-
久保 真人
東北大学電気通信研究所
-
津田 祐樹
東北大学電気通信研究所
-
綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
-
木村 俊二
NTTフォトニクス研究所
-
楢原 浩一
NTTフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
NTTフォトニクス研究所
-
楢原 浩一
山形大学工学部
-
佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
リズィー ヴィクトール
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:jst-crest
-
鷹林 将
東北大学電気通信研究所
-
楊 猛
東北大学多元物質科学研究所
-
片山 竜二
東北大学金属材料研究所
-
綱島 聡
NTTフォトニクス研
-
西村 拓也
東北大学電気通信研究所
-
吹留 博一
東北大学電気通信研究所
-
渡辺 隆之
東北大学電気通信研究所
-
細野 洋平
東北大学電気通信研究所
-
Kim Dae-hyun
Mit
-
Meziani Yahya
東北大学電気通信研究所
-
DEL ALAMO
MIT
-
馬籠 伸紘
東北大学電気通信研究所
-
楳田 洋太郎
東京理科大学理工学部
-
KHMYROVA Irina
会津大学
-
KNAP Wojtek
GES-UMR5650,モンペリエ第2大学,CNRS
-
尾辻 泰一
東北大電気通信研究所
-
チェン ハイボー
東北大学電気通信研究所
-
エルファティミ アブデルアハド
東北大学電気通信研究所
-
モネア ピー
CPMOH, UMR CNRS 5798, Universite Bordeaux 1
-
デラネ ジェイ
CPMOH, UMR CNRS 5798, Universite Bordeaux 1
-
クナップ ウォイチェック
GES CNRS-Universite Montpellier 2 UMR 5650
-
ディアコノワ ニーナ
GES CNRS-Universite Montpellier 2 UMR 5650
-
半田 大幸
東北大学電気通信研究所
-
Knap Wojtek
Ges-umr5650 モンペリエ第2大学 Cnrs
-
高橋 良太
東北大電気通信研究所
-
末光 哲也
東北大電気通信研究所
-
久保 真人
東北大電気通信研究所
-
末光 眞希
東北大電気通信研究所
-
半田 浩之
東北大電気通信研究所
-
姜 顯〓
東北大電気通信研究所
-
福嶋 哲也
東北大電気通信研究所
-
吹留 博一
東北大電気通信研究所
-
堀池 恒平
東北大学
-
デラネ ジェイ
Cpmoh Umr Cnrs 5798 Universite Bordeaux 1
-
モネア ピー
Cpmoh Umr Cnrs 5798 Universite Bordeaux 1
-
楳田 洋太郎
東京理科大学
-
尾辻 泰一
東北大学
-
鷹林 将
東北大学電気通信研究所:JST-CREST
-
林 広幸
東北大学多元物質科学研究所
-
栗田 裕記
東北大学電気通信研究所
-
瀬川 智子
東京理科大学大学院理工学研究科
-
小山 雅史
東京理科大学大学院理工学研究科
-
畠山 信也
東北大学電気通信研究所
著作論文
- プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CT-2-5 グラフェントランジスタの現状と展望(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- グラフェンチャネルFET : 新たな高速デバイスの可能性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- グラフェンチャネルFET : 新たな高速デバイスの可能性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- HEMTにおける光応答特性
- HEMTにおける光応答特性
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- InGaAsチャネルHEMTにおける真性・寄生遅延の解析
- InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-4-7 二次元共鳴プラズモンを利用したテラヘルツ帯光源デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CT-3-1 トランジスタ高速化のトレンドとテラヘルツへの展望(CT-3. ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システムの進展,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-2-6 InGaAs系HEMTを用いた分布発振器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- C-10-7 多層SiCN絶縁膜によるAIGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成(C-10.電子デバイス)