吉田 智洋 | 東北大学電気通信研究所

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概要

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関連著者

• 末光 哲也

  東北大学電気通信研究所

• 吉田 智洋

  東北大学電気通信研究所

• 尾辻 泰一

  東北大学電気通信研究所

• 小林 健悟

  東北大学電気通信研究所

• 松岡 隆志

  東北大学金属材料研究所

• 片山 竜二

  東北大学金属材料研究所

• 楳田 洋太郎

  東京理科大学理工学部

• 楳田 洋太郎

  東京理科大学

• 瀬川 智子

  東京理科大学大学院理工学研究科

• 小山 雅史

  東京理科大学大学院理工学研究科

• 畠山 信也

  東北大学電気通信研究所

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著作論文

• C-2-6 InGaAs系HEMTを用いた分布発振器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• C-10-7 多層SiCN絶縁膜によるAIGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成(C-10.電子デバイス)

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