小林 健悟 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
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末光 哲也
東北大学電気通信研究所
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小林 健悟
東北大学電気通信研究所
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吉田 智洋
東北大学電気通信研究所
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松岡 隆志
東北大学金属材料研究所
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片山 竜二
東北大学金属材料研究所
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畠山 信也
東北大学電気通信研究所
著作論文
- SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- C-10-7 多層SiCN絶縁膜によるAIGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成(C-10.電子デバイス)