C-10-7 多層SiCN絶縁膜によるAIGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成(C-10.電子デバイス)

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概要

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• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-03-05

著者

• 尾辻 泰一

  東北大学電気通信研究所

• 末光 哲也

  東北大学電気通信研究所

• 小林 健悟

  東北大学電気通信研究所

• 吉田 智洋

  東北大学電気通信研究所

• 畠山 信也

  東北大学電気通信研究所

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