InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出,AWAD2006)
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概要
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2重入れ子型回折格子ゲートを有するInGaP/InGaAs/GaAs高電子移動度トランジスタを対象に、光励起2次元プラズマ不安定性を発振源とするテラヘルツ(THz)電磁波放射を室温観測した。低電子濃度プラズモン領域で励起された光電子群は、近傍の高電子濃度プラズモン領域に注入されプラズマ不安定性を誘発する。結果、生じたプラズマ共鳴振動を源とするTHz波放射が得られる。プラズモン領域と素子裏面のITOミラー間に形成される縦型共振器構造の効用により、放射THz波には利得が与えられる。レーザ2光波励起を行なった場合、直流光励起電子により励起された4.5THz近傍の共鳴振動成分が、差周波励起された5.0THzの共鳴振動成分により増強される効果が確認された。THz帯における注入同期発振の可能性を示唆する結果である。
- 2006-06-26
著者
-
佐野 栄一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
花辺 充広
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
-
メチアニ ヤーヤ
東北大学電気通信研究所
-
浅野 種正
九州大学システム情報科学研究院
-
メチアニ ヤーヤ・ムバラク
東北大学電気通信研究所
-
浅野 種正
九工大マイクロ化センター
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州工大
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology
-
佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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