浅野 種正 | 九州大学大学院システム情報科学研究院

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概要

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• 九州大学大学院システム情報科学研究院の論文著者

関連著者

• 浅野 種正

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• Asano Tanemasa

  Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology

• 浅野 種正

  九工大マイクロ化センター

• 浅野 種正

  九州工大

• 浅野 種正

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• Asano Tanemasa

  Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology

• 中川 豪

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 浅野 種正

  九州大学大学院システム情報科学府

• 中川 豪

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 渡辺 直也

  北海道大学 大学院医学研究科法医学

• 渡辺 直也

  北海道大学大学院医学研究科

• 柴田 憲利

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 渡辺 直也

  九州大学大学院システム情報科学研究院:福岡県産業・科学技術振興財団

• 馬場 昭好

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 馬場 昭好

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 馬場 昭好

  九州工業大学

• 石田 雄二

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 吉田 知也

  産業技術総合研究所

• 浅野 種正

  九州大学システム情報科学研究院

• 牧平 憲治

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 吉田 知也

  九州工業大学大学院情報工学研究科:(現)九州大学大学院システム情報科学研究院

• 牧平 憲治

  関西大

• 吉田 知也

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 有馬 裕

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 西坂 美香

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 有馬 裕

  九州工業大学大学院情報工学研究科

• 西坂 美香

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 石田 雄二

  北九州産業学術推進機構

• 渡邉 一徳

  九州大学大学院システム情報科学府

• 佐野 栄一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 花辺 充広

  東北大学電気通信研究所

• 尾辻 泰一

  東北大学電気通信研究所

• メチアニ ヤーヤ

  東北大学電気通信研究所

• メチアニ ヤーヤ・ムバラク

  東北大学電気通信研究所

• 浅野 種正

  九州大学

• 渡邉 一徳

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 江崎 真彦

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 櫻木 進

  住友重機械工業株式会社

• 工藤 利雄

  住友重機械工業株式会社

• 工藤 利雄

  住友重機械工業(株)技術開発センター

• 中ノ瀬 直樹

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 中ノ瀬 直樹

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 佐野 栄一

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 櫻木 進

  住友重機械工業(株)平塚研究所

• 中島 寛

  九州大学産学連携センター

• 尾辻 泰一

  九州工業大学

• 塚本 直樹

  株式会社半導体エネルギー研究所

• 中島 寛

  先端科学技術共同研究センター

• 宮尾 正信

  九州大学大学院システム情報科学

• 過能 慎太郎

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 永田 翔

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 浅野 種正

  (現)九州大学大学院システム情報科学研究院

• 渡辺 直也

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 萩野 浩靖

  福菱セミコンエンジニアリング(株)

• 尾辻 泰一

  九州工業大学大学院情報工学研究科:東北大学電気通信研究所

• 中島 寛

  九大 産学連携セ

• 小島 丈明

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 中前 正彦

  三菱住友シリコン(株)

• 大串 英世

  (独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター

• 新 千弘

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• バカル アフィザアブ

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 上田 正仁

  東京大学大学院理学系研究科

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 三村 高志

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学

• 岸野 克己

  上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構

• 波多野 睦子

  (株)日立製作所

• 加藤 繁

  九州工業大学大学院情報工学研究科

• 志水 隆一

  国際高等研究所

• 伊賀 健一

  国立大学法人東京工業大学

• 五明 明子

  NEC

• 松本 和彦

  阪大

• 東町 高雄

  崇城大学工学部

• 渡辺 直也

  (財)福岡県産業・科学技術振興財団

• 秋山 浩司

  九州大学大学院システム情報科学府

• 渡辺 直也

  くまもとテクノ産業財団事業開発センター

• 岩崎 裕

  九州大学大学院システム情報科学

• 吉田 知也

  (現)九州大学大学院システム情報科学研究院

• 中川 豪

  (現)九州大学大学院システム情報科学研究科

• 外村 彰

  (株)日立製作所

• 志水 隆一

  大阪大学

• 早瀬 潤子

  電気通信大学

• 三村 高志

  株式会社富士通研究所

• 權田 俊一

  大阪大学

• 松本 和彦

  大阪大学

• 五明 明子

  日本電気株式会社

• 松岡 裕

  アンリツ(株)

• 外村 彰

  日立製作所基礎研究所

• 上田 正仁

  東京大学

• 山本 裕一

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 松本 和彦

  大阪大学産業科学研究所

• 浜砂 伸朗

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 馬湯 昭好

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 吐合 一徳

  北九州産業学術推進機構

• 岡田 豊

  九州工業大学大学院情報工学研究科

• 岸野 克己

  上智大学

• 佐藤 賢太

  九州工業大学大学院情報工学研究科

• 外村 彰

  理研:日立基礎研

• 中崎 佳彦

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 西川 あゆみ

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• バカル アフィザアブ

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• バカル アフィザ

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 松本 珠美江

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 渡辺 直也

  九州大学大学院システム情報科学研究院

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著作論文

• 円錐バンプとくさびつき対向電極を用いた高密度・常温チップ積層技術の開発
• 先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)
• インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出
• インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出,AWAD2006)
• InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
• フォトニクスの新領域を開いた「面発光レーザー」
• プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 形態機能性マイクロ電極の構造解析
• ストライプ型チャネルを持つ多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性ばらつきの評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
• 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
• 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
• 固相とレーザーの組み合わせ結晶化による結晶方位制御の可能性
• InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
• イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• アクティブマトリクス式バンプ導通検査回路によるコンプライアントバンプの機能検証 (MEMS 2006 第16回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集)
• 電子線ホログラフィーとそれが拓く量子の世界
• 高電子移動度トランジスタ : HEMT-の発明
• C-12-5 SiPの実装条件が高速インターフェイスの伝送特性に及ぼす影響(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
• インクジェット法による高精度配列電子源アレイの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出
• 熱拡散法によるCMOSデバイスの試作(3) : インバータ回路の製作・まとめ
• 熱拡散法によるCMOSデバイスの試作(2) : p型ウェルの形成について
• 一軸応力下におけるSOI MOSFETの基板浮遊効果(SiP応力解析技術, 先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
• 高密度エリアバンプ接続のためのコンプライアントバンプ
• 超音波フリップチップ実装時に発生する歪みの実時間計測 (特集1 超音波フリップチップ実装技術)
• 歪みセンサーによるフリップチップボンディングの接合性計測 (特集 半導体製造装置における超音波計測)
• Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
• Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
• Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
• 金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• 金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• 金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• 研究紹介 高速LSI用ひずみSiウエハー技術
• C-12-1 VS-MOSによる自律適応的電力・速度制御型論理システム(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
• 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
• ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
• ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
• ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
• ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
• Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
• マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
• マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• リングオシレータによるスペクトル拡散方式
• 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• チャネルサイズ可変調MOSFETによる論理しきい値変換回路(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• チャネルサイズ可変調MOSFETによる論理しきい値変換回路
• チャネルサイズ可変調MOSFETによる論理しきい値変換回路(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
• 浅くドープしたエクステンションをもつnチャネル・ショットキーソース/ドレインSOI-MOSFET
• コンプライアントバンプ技術のイメージセンサーへの応用(配線・実装技術と関連材料技術)
• 異種材料・機能のマイクロ接合技術(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• 異種材料・機能のマイクロ接合技術(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• 先鋭バンプを用いた異種材料・機能のマイクロ接合技術(LSIと高密度実装から見た異種機能集積技術への期待と課題招待論文)

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