ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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概要
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ダブルパルスグリーンレーザアニールシステムとレーザ走査法を併用したALCG(Advanced Lateral Crystal Growth)プロセスを用いて横方向成長させたpoly-Si膜上に薄膜トランジスタ(TFT: Thin Film Transistor)を作製した。レーザのスキャン方向(すなわち結晶粒成長方向)と平行にチャネルを配置したTFTの平均電界効果移動度はnチャネルTFTで約640cm^2/V・s、pチャネルTFTで約190cm^2/V・sを得た。これらのTFTは、単結晶Si-MOSFETに近い電界効果移動度の温度依存性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
浅野 種正
九工大マイクロ化センター
-
渡邉 一徳
九州大学大学院システム情報科学府
-
中川 豪
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
渡邉 一徳
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
江崎 真彦
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
中川 豪
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
櫻木 進
住友重機械工業株式会社
-
工藤 利雄
住友重機械工業株式会社
-
浅野 種正
九州工大
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
工藤 利雄
住友重機械工業(株)技術開発センター
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology
-
櫻木 進
住友重機械工業(株)平塚研究所
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