ゲート酸化膜を薄膜化したショットキーソース/ドレインSOI-MOSFETの特性
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概要
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金属シリサイドをソース/ドレイン電極材料としたショットキーソース/ドレインSOI MOSFETの電流駆動力向上の観点から研究を行った.ショットキー障壁によるソースからチャネルへのキャリア供給が制限されるという問題に対し,ゲート酸化膜を薄膜化することでキャリア供給が容易になり,ドレイン電流が増大することを実験的に示した.中でも,Niシリサイドはソース/チャネル間にオフセットのない構造を形成できるという利点を持ち,ゲート酸化膜を薄くすることでnチャネル素子においても,ショットキー障壁高さが小さいErシリサイドを用いた場合と同等の電流が得られることが分かった.
- 2002-06-13
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
西坂 美香
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
吉田 敦信
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
西坂 美香
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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