金属インプリント法による擬似単結晶poly-Si TFT
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概要
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金属インプリント法を用いた擬似単結晶poly-Si TFTを作製し、その特性評価を行った。Niを用いてインプリントを行うことで結晶核の発生時間を大幅に短縮でき、その結果、大粒径結晶粒を所望の任意の位置に形成できることがわかった。得られた結晶粒は<111>配向であった。560℃アニールによって平均7μmの粒径が得られた。この方法を用いてチャネル領域を単一結晶粒内に配置したTFTを作製した。作製したTFTは電界移動度がnチャンネルで400cm^2/Vs、pチャンネルで220cm^2/Vsの高い性能を示し、特性の素子間ばらつきも通常のTFTの1/2の均一性のよいものが作製できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-12
著者
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