完全自己整合型ダブルゲート poly-Si TFT
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概要
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自己整合プロセスを用いて埋め込み型の下部ゲートを持つダブルゲートTFTを作製した。基板に石英を用い、下部ゲートマスクとし、裏面から露光を行うことで上部ゲートのフォトリソグラフィーを行った。この作製プロセスにより下部ゲート、素子分離、コンタクト、アルミ配線の4枚のフォトマスクでダブルゲートTFTを作製できた。ダブルゲート動作時においてシングルゲート動作時の約3倍の電流駆動力が得られた。活性層の薄膜化によっても電流駆動力が向上することがわかった。また、シングルゲート動作時に他方のゲートバイアスを変化させることでしきい値を制御できた。ダブルゲート動作によってしきい値の均一性が向上することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-24
著者
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