金属インプリント法による結晶粒位置制御と単一結晶粒Si薄膜トランジスタへの応用
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概要
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金属インプリント法によるSi薄膜結晶粒の位置制御とそれを利用して大きな単一結晶粒中に薄膜トランジスタ(TFT)を作製する技術ならびにTFT特性について述べる。金属インプリント法とは、金属膜を被覆したチップアレイを非晶質Si薄膜表面に押し当て、転写された少量の金属の効果で非晶質Siの固相結晶化における結晶核の発生を促進する技術である。Niを用いてインプリントした結果について述べる。560℃での固相結晶化で平均粒径約10μmの〈111〉配向した単結晶粒が得られることが見いだされた。この方法を用いてチャネル領域を単一結晶粒内に配置したTFTを作製した。作製したTFTは電界移動度がnチャンネルで400cm^2/Vs、pチャンネルで220cm^2/Vsの高い性能を示した。また、特性の素子間ばらつきも通常の固相成長で結晶化した薄膜上のTFTの約1/2と均一性も大きく向上できることが見いだされた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
著者
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