ボイドカット法を利用したフィールドエミッタアレイの形成

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概要

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エミッタ作製方法の一つであるモールド法は、単結晶Si基板を選択エッチングし鋳型を形成するため、エミッタの均一性、再現性に優れている。しかしながら、従来のプロセスでは最終工程でSiを基板裏面からエッチバックする必要があり、素子へのダメージやエミッタ材料の制限が生じていた。本研究では、モールド法に水素イオン注入によるボイドカット法を利用することで、エッチバックを必要としないプロセスについて検討した。パターンを形成しないSi基板では、ボイドカットによるSiの分離が容易であるのに対し、モールドの存在する基板では分離がより困難であることが分かった。Au-Si共晶、スピンオングラスを使った貼り合わせを試みた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-12-12

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