BiCMOS用低電圧動作トンネル注入BJT
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概要
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前回我々はBiCMOS回路の低電圧動作を実現するために, 拡散電位以下で動作できるトンネル注入型のBJTを提案, その構造によるトランジスタが動作できる可能性を示した。しかし, 電流増幅率が小さいという問題点が残った。そこで今回, 素子の諸元を変更することで電流増幅率の向上を図ることを試みたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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