Niシリサイド・ショットキー障壁ソース/ドレインSOI-MOSFETの特性
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概要
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Niシリサイド ショットキー障壁ソース/pn接合ドレイン構造をもつpチャネル部分空乏型SOI-MOSFETを試作し、動作特性の温度依存性を調べた。障壁高さの異なるPtSi素子との比較から、ショットキー素子の動作機構が接触材料の障壁高さで決定され、チャネルを流れるドレイン電流がソース側の障壁によって制限されていることを実験的に明らかにした。また、ショットキー障壁ソースが基板浮遊効果の抑制に有効であることを室温 (300K)〜500Kの動作に対して示した。さらにNiを拡散種としてソース/ドレインをチャネル領域まで形成し、ソース/チャネル間をオフセットレス化することで電流駆動力を向上できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-08
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
中川 豪
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
中川 豪
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
鹿野 隆頼
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
鹿野 隆頼
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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