プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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プラズマCVD法で堆積した非晶質Siを固相結晶化した場合、超高真空法で蒸着した非晶質Si膜の場合に比べ、結晶核の形成とその成長にいたる過程が明確に観察されにくい。また、結晶化した多結晶Si膜にTFTを作製してもキャリヤ移動度が小さな特性となってしまう。本論文では、プラズマCVD膜に金属誘起横方向結晶化(Metal Induced Lataral Crystallization:MILC)を適用すると、超高真空蒸着膜の場合に近い成長特性を示すとともに、キャリヤ移動度も向上することを示す。また、非晶質Si膜を予めパターニングしてMILCを適用しグレインフィルタリングを試みた結果についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-17
著者
-
浅野 種正
九工大マイクロ化センター
-
過能 慎太郎
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
永田 翔
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
中川 豪
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州工大
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学府
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