ストライプ型チャネルを持つ多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性ばらつきの評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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レーザスキャン法により横方向に結晶粒を成長させた多結晶Si (poly-Si)膜上にストライプ型のチャネル形状をもつ多結晶シリコン薄膜トランジスタ(TFT : Thin Film Transistor)を作製し、特性のばらつきを評価した。サブスレッショルド特性はストライプの本数に依存しない一方、電界効果移動度のばらつきはストライプを合算した全チャネル幅が小さくなるほど大きくなり、全チャネル幅が同じであれば複数チャネルでもばらつきの大きさは同じになった。つまり、電流駆動力のばらつきはチャネル内に存在する結晶粒界の数に依存する。よって、通常の単一ゲートTFTでばらつき抑制するには結晶粒界の電位障壁の大きさを低減するという基本的なアプローチがが最も有効な方法であるといえる。
- 2008-04-04
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